[发明专利]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

半导体衬底；

布线结构，所述布线结构形成在所述半导体衬底上方并且包括多个布线层；以及

第一线圈、第二线圈和第三线圈，所述第一线圈、所述第二线圈和所述第三线圈形成在所述半导体衬底上方，

其中，在位于所述第一线圈下方并且在平面图中与所述第一线圈重叠的区域中，设置有所述第二线圈和所述第三线圈，

其中，所述第二线圈和所述第三线圈形成在相同的层中并且彼此串联电耦合，以及

其中，所述第二线圈和所述第三线圈中的每个和所述第一线圈没有经由导体彼此耦合，但彼此磁耦合。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中，所述第一线圈由所述布线层中的一个形成。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，

其中，所述第一线圈在平面图中没有彼此交叉的部分。

4.根据权利要求3所述的半导体器件，

其中，所述第一线圈由所述布线层中的最上布线层形成。

5.根据权利要求4所述的半导体器件，

其中，在平面图中在所述第一线圈内部，设置有与所述第一线圈的一端耦合的焊盘电极。

6.根据权利要求2所述的半导体器件，

其中，所述第二线圈和所述第三线圈中的每个由所述布线层中的两个形成。

7.根据权利要求6所述的半导体器件，

其中，所述第二线圈和所述第三线圈在平面图中具有彼此交叉的各交叉部分。

8.根据权利要求7所述的半导体器件，

其中，在所述交叉部分中，所述第二线圈仅由所述两个布线层中的一个形成并且所述第三线圈仅由所述两个布线层中的另一个形成。

9.根据权利要求7所述的半导体器件，

其中，所述第二线圈和所述第三线圈在相反的方向上缠绕。

10.根据权利要求7所述的半导体器件，

其中，所述第二线圈和所述第三线圈在平面图中具有彼此线对称的二维形状。

11.根据权利要求6所述的半导体器件，

其中，在位于所述两个布线层下方的层中的引出布线被电耦合到所述第二线圈和所述第三线圈的彼此耦合的各部分。

12.根据权利要求11所述的半导体器件，

其中，固定电势被从所述引出布线供应到所述耦合的部分。

13.根据权利要求11所述的半导体器件，

其中，所述第二线圈和所述第三线圈分别由所述布线层中的最下布线层和所述布线层中的位于所述最下布线层直接上方的布线层形成。

14.根据权利要求13所述的半导体器件，还包括：

MISFET，所述MISFET形成在所述半导体衬底上方，

其中，所述引出布线由与所述MISFET的栅电极的层相同的层中的导电图案制成。

15.根据权利要求11所述的半导体器件，

其中，所述耦合的部分经由通孔部分电耦合到所述引出布线。

16.根据权利要求15所述的半导体器件，

其中，在平面图中，所述通孔部分设置在延伸通过包括彼此串联耦合的所述第二线圈和所述第三线圈的线圈图案的中心的中线上。

17.根据权利要求15所述的半导体器件，

其中，在平面图中，所述通孔部分设置在从延伸通过包括彼此串联耦合的所述第二线圈和所述第三线圈的线圈图案的中心的中线移位的位置。

18.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中，所述第一线圈是初级线圈并且所述第二线圈和所述第三线圈中的每个是次级线圈。