[发明专利]半导体器件

说明书

相关申请的交叉引用

包括说明书、附图和摘要的、于2015年11月19日提交的日本专利申请No.2015-226903的公开的全部内容以引用方式并入本文中。

技术领域

本发明涉及半导体器件并且可适宜用于例如包括线圈的半导体器件。

背景技术

在被输入具有不同电势的电信号的两个电路之间传输电信号的技术的示例包括使用光电耦合器的技术。光电耦合器具有诸如发光二极管的发光元件和诸如光电晶体管的光接收元件。光电耦合器将输入到其的电信号转换成发光元件中的光并且将光返回成光接收元件中的电信号，因此传输电信号。

另外，已经开发出将两个电感器磁耦合(电感耦合)以因此传输电信号的技术。

日本未审专利公开No.2009-295804(专利文献1)、No.2014-123671(专利文献2)、和No.2013-115131(专利文献3)中的每个公开了与微型变压器相关的技术。

[现有技术文献]

[专利文献]

[专利文献1]日本未审专利公开No.2009-295804

[专利文献2]日本未审专利公开No.2014-123671

[专利文献3]日本未审专利公开No.2013-115131

发明内容

在被输入具有不同电势的电信号的两个电路之间传输电信号的技术的示例包括使用光电耦合器的技术。然而，由于光电耦合器具有发光元件和光接收元件，因此难以减小其大小。另外，当电信号的频率高时，光电耦合器不能跟随电信号，这样限制了光电耦合器的使用。

另一方面，在使用磁耦合的电感器来传输电信号的半导体器件中，可使用半导体器件的微制造技术来形成电感器。因此可以实现器件的大小减小并且器件的电特性优异。因此，期望促进半导体器件的发展。

结果，即使在包括电感器的这种半导体器件中，期望最大地提高其性能。

根据本说明书中的陈述和附图，本发明的其他问题和新颖特征将变得清楚。

根据实施例，一种半导体器件包括形成在半导体衬底上方的第一线圈、第二线圈和第三线圈。在位于所述第一线圈下方并且在平面图中与所述第一线圈重叠的区域中，设置所述第二线圈和所述第三线圈。所述第二线圈和所述第三线圈形成在相同的层中并且彼此串联电耦合。所述第二线圈和所述第三线圈中的每个和所述第一线圈没有经由导体彼此耦合，但彼此磁耦合。

根据该实施例，可以提高半导体器件的性能。

可供选择地，可以减小半导体器件的大小。

另外可供选择地，可以提高半导体器件的性能并且减小半导体器件的大小。

附图说明

图1是示出第一实施例中的使用半导体器件的电子器件的示例的电路图；

图2是示出信号的传输的示例的图示视图；

图3是该实施例中的半导体器件的主要部分剖视图；

图4是该实施例中的半导体器件的主要部分剖视图；

图5是第一研究例中的半导体器件的主要部分平面图；

图6是第一研究实施例中的半导体器件的主要部分平面图；

图7是第一研究例中的半导体器件的主要部分剖视图；

图8是第二研究例中的半导体器件的主要部分平面图；

图9是第二研究实施例中的半导体器件的主要部分平面图；

图10是第二研究实施例中的半导体器件的主要部分剖视图；

图11是示出第二研究例中的半导体器件中形成的变压器的电路构造的电路图；

图12是该实施例中的半导体器件的主要部分平面图；

图13是该实施例中的半导体器件的主要部分平面图；

图14是该实施例中的半导体器件的主要部分平面图；

图15是该实施例中的半导体器件的主要部分平面图；

图16是该实施例中的半导体器件的主要部分剖视图；

图17是该实施例中的半导体器件的主要部分剖视图；

图18是该实施例中的半导体器件的主要部分剖视图；

图19是该实施例中的半导体器件的主要部分剖视图；

图20是示出该实施例中的半导体器件中形成的变压器的电路构造的电路图；

图21是该实施例中的半导体器件的主要部分平面图；

图22是该实施例中的半导体器件的主要部分平面图；