[发明专利]电子芯片中的低差量部件

权利要求书

1.一种制造包含低差量部件的电子芯片的方法，包括以下步骤：

根据所述部件在测试半导体晶圆中的位置，映射所述部件的平均差量；

将每个芯片的每个部件与辅助校正元件相关联；

根据所述映射，通过掩蔽激活所述校正元件到每个部件的连接。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述部件是电容器，并且所述校正元件是与主电容器共享电极(10)的电容器。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述电容器被形成在两个掺杂多晶硅层之间，并且被提供有由硅氧化物-氮化物-氧化物三层形成的电介质。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，制造方法提供步进重复掩蔽步长，掩膜版之一被用于确保所述辅助校正元件的连接或不连接，并且其中除正常的步进重复步长之外，所述掩膜版通过可变步长来偏移。

5.一种包含电子芯片的半导体晶圆，每个芯片包括第一类型的至少一个部件，所述部件与根据所述芯片在所述晶圆中的位置而连接或不连接的辅助校正元件相关联。

6.根据权利要求5所述的晶圆，其中，所述第一类型的所述部件是电容器，并且所述辅助校正元件是与主电容器共享电极(10)并且具有远小于主部件的表面积的辅助电容器，所述辅助电容器根据所述芯片在所述晶圆中的位置而连接或不连接。

7.根据权利要求6所述的晶圆，其中，所述电容器是ONO类型的。

8.一种集成电路芯片，通过根据权利要求5所述的晶圆的锯切而得到。

9.一种制造电子芯片的方法，包括：

分别制造包含匹配部件的电子芯片，所述制造包括：

在所述芯片上制造辅助校正元件；

对于每个芯片，根据依照对应测试部件在测试半导体晶圆中的位置对所述测试半导体晶圆的所述对应测试部件的统计差量的映射，通过掩蔽选择性地激活所述芯片的所述辅助校正元件到所述芯片的所述匹配部件的连接，所述测试部件对应于所述匹配部件。

10.根据权利要求9所述的方法，其中所述匹配部件是主电容器，并且所述辅助校正元件是均与属于同一芯片的所述主电容器共享电极的电容器。

11.根据权利要求10所述的方法，其中所述主电容器中的每个主电容器包括两个掺杂多晶硅层和由硅氧化物-氮化物-氧化物三层形成的电介质。

12.根据权利要求9所述的方法，其中所述制造包括使用掩膜版的步进重复掩蔽步骤，所述掩膜版中的一个掩膜版被用于将所述辅助校正元件分别与所述匹配部件选择性地连接，并且其中所述步进重复掩蔽步骤包括通过可变步长来偏移所述一个掩膜版。

13.根据权利要求9所述的方法，其中对于每个芯片：

所述匹配部件是具有第一电极和第二电极的主电容器；

所述辅助校正元件包括均具有第一电极和第二电极的第一校正电容器和第二校正电容器；

所述第一校正电容器和所述第二校正电容器的第一电极与所述主电容器的第一电极邻接；以及

所述主电容器的第二电极与所述第一校正电容器和所述第二校正电容器的第二电极彼此间隔开。