[发明专利]电子芯片中的低差量部件

说明书

本申请涉及电子芯片中的低差量部件。提供一种制造包含低差量部件的电子芯片的方法，包括以下步骤：根据部件在测试半导体晶圆中的位置映射所述部件的平均差量；将每个芯片的每个部件与辅助校正元件相关联；根据初始映射，通过掩蔽激活校正元件与每个部件的连接。

本申请要求于2016年6月28日提交的法国专利申请第16/56020号的优先权权益，通过参考在法律允许的最大程度上将其整体结合于此。

技术领域

本公开内容涉及诸如集成电路的电子部件的制造，更具体地，本公开内容的目的在于在半导体晶圆内形成相对于彼此具有低差量(dispersion)的部件。

背景技术

集成电子电路通常从其中形成有大量相同电子芯片的半导体晶圆来制造，所述芯片随后通常通过锯切来相互分离。

电子芯片的制造包括大量的掩蔽步骤，具体操作根据每个掩模的图案来执行，例如掺杂注入、层蚀刻和连接层中的电连接。

传统地，可以观察到晶圆的电子芯片包含诸如电容器、晶体管和存储单元的基础部件，它们显示出由制造引起的特定的特性差量。具体地，给定部件在不同的半导体晶圆中将不总是具有相同的值，在同一半导体晶圆的不同芯片中也不总是具有相同的值。

在特定情况下，这种差量非常重要，例如在期望制造调谐电容器时。

为了克服这种差量，在现有技术中使用许多解决方案，诸如：

–对制造方法施加极其严格的约束：这是昂贵的，并且所得到的差量限制通常在晶圆内仅为±7％的量级；

–对所得到的芯片进行分类并且拒绝坏芯片：如果拒绝差量大于±5％的所有芯片，则这会引起大于10％的效率损失；和/或

–在制造结束时执行激光调整：这当然是昂贵且耗时的技术。

因此，需要能够减小电子电路芯片的制造差量以增加制造效率并避免附加步骤(分类、激光调整…)的方法。

发明内容

因此，实施例提供了制造包含低差量部件的电子芯片的方法，该方法包括以下步骤：

根据所述部件在测试半导体晶圆中的位置映射所述部件的平均差量；

将每个芯片的每个部件与辅助校正元件相关联；

根据初始映射，通过掩蔽激活校正元件到每个部件的连接。

根据一个实施例，部件是电容器，并且校正元件是与主电容器共享电极的电容器。

根据一个实施例，电容器形成在两个掺杂多晶硅层之间，并且提供有由连续的硅氧化物、氮化物和氧化物层形成的电介质。

根据一个实施例，该方法提供步进重复掩蔽步长，掩膜版之一旨在确保辅助部件的连接或不连接，并且除正常的步进重复步长之外，所述掩膜版通过可变步长来偏移。

实施例提供了一种包含电子芯片的半导体晶圆，每个芯片包括第一类型的至少一个部件，该部件与根据芯片在晶圆中的位置而连接或不连接的辅助校正部件相关联。

根据一个实施例，第一类型的部件是电容器，并且辅助部件是与主电容器共享电极并且具有远小于主部件的表面积的辅助电容器，辅助电容器根据芯片在晶圆中的位置而连接或不连接。

根据一个实施例，电容器是ONO类型的。

实施例提供了一种集成电路芯片，通过锯切诸如上述的晶圆而得到。

结合附图，在以下专门的实施例的非限制性描述中详细讨论前述和其他特征以及优势。

附图说明

图1示出了配置在晶圆的各个芯片中的调谐电容器的值，该值取决于这些芯片与晶圆中心的距离；