[发明专利]封装结构在审

专利信息
申请号: 201611024453.3 申请日: 2016-11-18
公开(公告)号: CN107452721A 公开(公告)日: 2017-12-08
发明(设计)人: 余振华;余国宠 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: H01L25/065 分类号: H01L25/065;H01L23/66;H01Q1/22;H01Q1/38;H01Q1/50;H01Q21/00
代理公司: 南京正联知识产权代理有限公司32243 代理人: 顾伯兴
地址: 中国台湾新竹科*** 国省代码: 台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 封装 结构
【说明书】:

技术领域

发明实施例是有关于一种封装结构。

背景技术

通常可以在整片半导体晶片上制造半导体元件和积体电路。在晶片层级工艺中,针对晶片中的管芯进行加工处理,并且可以将管芯与其他的半导体元件一起封装。目前各方正努力开发适用于晶片级封装的不同技术。

发明内容

本发明实施例提供一种封装结构包括第一管芯、第二管芯、第三管芯、封装模塑体、第一布线层、天线及导电部件。第一管芯、第二管芯及第三管芯包覆在封装模塑体内。第一布线层配置在封装模塑体上并电性连接至第一管芯、第二管芯及第三管芯。天线配置在封装模塑体上并电性连接至第一管芯、第二管芯及第三管芯,其中第一管芯与天线之间的电性连接路径的距离小于或等于第二管芯与天线之间的电性连接路径的距离以及第三管芯与天线之间的电性连接路径的距离。导电部件连接第一布线层,其中第一布线层位于导电部件与封装模塑体之间。

附图说明

根据以下的详细说明并配合所附图式以了解本发明实施例。应注意的是,根据本产业的一般作业,各种特征并未按照比例绘制。事实上,为了清楚说明,可能任意的放大或缩小器件的尺寸。

图1A到图1G为依据一些本发明实施例的封装结构的制造方法中各种阶段所形成的封装结构的剖面示意图。

图2为依据一些本发明实施例的封装结构的剖面示意图。

图3A到图3G为依据一些本发明实施例的封装结构的制造方法中各种阶段所形成的封装结构的剖面示意图。

图4为依据一些本发明实施例的封装结构的剖面示意图。

图5A到图5E为依据一些本发明实施例的封装结构的制造方法中各种阶段所形成的封装结构的剖面示意图。

图6为依据一些本发明实施例的封装结构的剖面示意图。

图7A到图7E为依据一些本发明实施例的封装结构的制造方法中各种阶段所形成的封装结构的剖面示意图。

图8为依据一些本发明实施例的封装结构的剖面示意图。

图9A到图9I为依据一些本发明实施例的封装结构的制造方法中各种阶段所形成的封装结构的剖面示意图。

附图标号说明

10:封装、封装结构;

20:天线的封装组件;

100、200:晶片;

102、202:载体;

103、203:剥离层;

104:(图案化)介电层;

105:介电材料层;

106:介电层;

110:第一管芯;

111、121、131:接触件;

120:第二管芯;

130:第三管芯;

140:第四管芯;

151:第一贯穿介层孔;

152:至少一第二贯穿介层孔;

153:接触柱;

160:封装模塑体;

161:管芯贴合膜;

162:(第二)管芯贴合膜;

163:保护层;

170:第一布线层;

172、272:聚合物介电层;

174、274:金属层;

180:导电部件;

190、195:连接结构;

210:第一金属部;

220:第二金属部;

270:第二布线层;

CR:中央区域;

PR:周围区域。

具体实施方式

以下揭露内容提供用于实施所提供的目标的不同特征的许多不同实施例或实例。以下所描述的构件及设置的具体实例是为了以简化的方式传达本揭露为目的。当然,这些仅仅为实例而非用以限制。举例来说,于以下描述中,在第一特征上方或在第一特征上形成第二特征可包括第二特征与第一特征形成为直接接触的实施例,且亦可包括第二特征与第一特征之间可形成有额外特征使得第二特征与第一特征可不直接接触的实施例。此外,本揭露在各种实例中可使用相同的组件符号及/或字母来指代相同或类似的部件。组件符号的重复使用是为了简单及清楚起见,且并不表示所欲讨论的各个实施例及/或设置本身之间的关系。

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