[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种开关装置，其包括：

第一晶体管，其经布置以根据第一控制信号选择性地将第一连接端子耦合到第二连接端子，所述第一晶体管包括：

第一掺杂区域，其掺杂有第一类型的掺杂剂且耦合到所述第一连接端子；

第二掺杂区域，其掺杂有所述第一类型的掺杂剂且耦合到所述第二连接端子；及

第一沟道区域，其掺杂有第二类型的掺杂剂且受所述第一控制信号控制，其中所述第一沟道区域经配置以具有：第一区域，其具有第一浓度的所述第二类型的掺杂剂；及第二区域，其具有第二浓度的所述第二类型的掺杂剂，且所述第二浓度高于所述第一浓度；

其中所述第一沟道区域进一步包括第三区域，其具有第三浓度的所述第二类型的掺杂剂，且所述第三浓度高于所述第一浓度，所述第二区域比所述第二掺杂区域更接近所述第一掺杂区域且不与所述第一掺杂区域重叠，且所述第三区域比所述第一掺杂区域更接近所述第二掺杂区域且不与所述第二掺杂区域重叠。

2.根据权利要求1所述的开关装置，其中所述第一类型的掺杂剂及所述第二类型的掺杂剂分别是N型掺杂剂及P型掺杂剂，或所述第一类型的掺杂剂及所述第二类型的掺杂剂分别是P型掺杂剂及N型掺杂剂。

3.根据权利要求1所述的开关装置，其中所述第一晶体管进一步包括：电介质层，其安置在所述沟道区域之上；其中所述第二区域不与所述电介质层重叠。

4.根据权利要求3所述的开关装置，其中所述第一晶体管进一步包括：

栅极层，其安置在所述电介质层上方；

其中所述栅极层耦合到所述第一控制信号。

5.根据权利要求1所述的开关装置，其中所述第一晶体管进一步包括：

电介质层，其安置在所述第一沟道区域上方；

其中所述第二区域及所述第三区域不与所述电介质层重叠。

6.一种开关装置，其包括：

第一晶体管，其经布置以根据第一控制信号选择性地将第一连接端子耦合到第二连接端子，所述第一晶体管包括：

第一掺杂区域，其掺杂有第一类型的掺杂剂且耦合到所述第一连接端子；

第二掺杂区域，其掺杂有所述第一类型的掺杂剂且耦合到所述第二连接端子；及

第一沟道区域，其掺杂有第二类型的掺杂剂且受所述第一控制信号控制，其中所述第一沟道区域经配置以具有：第一区域，其具有第一浓度的所述第二类型的掺杂剂；及第二区域，其具有第二浓度的所述第二类型的掺杂剂，且所述第二浓度高于所述第一浓度；及

第二晶体管，其经布置以根据第二控制信号选择性地将所述第二连接端子耦合到第三连接端子；

其中当所述第一控制信号控制所述第一晶体管将所述第一连接端子耦合到所述第二连接端子时，所述第二控制信号控制所述第二晶体管不将所述第二连接端子耦合到所述第三连接端子，且所述第二晶体管包括：

第三掺杂区域，其掺杂有所述第一类型的掺杂剂且耦合到所述第二连接端子；

第四掺杂区域，其掺杂有所述第一类型的掺杂剂且耦合到所述第三连接端子；及

第二沟道区域，其掺杂有所述第二类型的掺杂剂且受所述第二控制信号控制，其中所述第二沟道区域经配置以具有：第四区域，其具有第四浓度的所述第二类型的掺杂剂；及第五区域，其具有第五浓度的所述第二类型的掺杂剂，且所述第五浓度高于所述第四浓度。

7.根据权利要求6所述的开关装置，其中所述第二沟道区域进一步包括第六区域，其具有第六浓度的所述第二类型的掺杂剂，且所述第六浓度高于所述第四浓度。

8.根据权利要求7所述的开关装置，其中所述第二沟道区域在所述第五区域与所述第六区域之间，所述第五区域比所述第四掺杂区域更接近所述第三掺杂区域，且所述第六区域比所述第三掺杂区域更接近所述第四掺杂区域。

9.根据权利要求7所述的开关装置，其中所述第五区域及所述第六区域分别接近所述第三掺杂区域及所述第四掺杂区域，但不与所述第三掺杂区域及所述第四掺杂区域重叠。