[发明专利]半导体装置

说明书

本发明提供一种半导体装置，其包含第一掺杂区域、第二掺杂区域、以及沟道区域。所述第一掺杂区域掺杂有第一类型的掺杂剂。所述第二掺杂区域掺杂有所述第一类型的掺杂剂。所述沟道区域掺杂有第二类型的掺杂剂，其中所述沟道区域经配置以使第一区域具有第一浓度的所述第二类型的掺杂剂并使第二区域具有第二浓度的所述第二类型的掺杂剂，且所述第二浓度高于所述第一浓度。

技术领域

本发明涉及一种半导体装置及使用半导体装置的切换装置。

背景技术

天线开关是用于将射频(RF)信号从一个输入路由到多个输出路径的装置。RF信号可为具有相对较大的摆幅的信号。天线开关是蜂窝式RF前端模块的第一晶体管级。对于用于第三代(3G)或第四代(4G)应用的天线开关，对谐波抑制的要求相对严格。举例来说，当RF信号的输入RF功率是33dBm时，由天线开关引起的二次谐波应低于-70dBm。

发明内容

本发明提供一种半导体装置。所述半导体装置包括第一掺杂区域、第二掺杂区域、以及沟道区域。所述第一掺杂区域掺杂有第一类型的掺杂剂。所述第二掺杂区域掺杂有所述第一类型的掺杂剂。所述沟道区域掺杂有第二类型的掺杂剂。所述沟道区域经配置以使第一区域具有第一浓度的所述第二类型的掺杂剂并使第二区域具有第二浓度的所述第二类型的掺杂剂，且所述第二浓度高于所述第一浓度。

本发明也提供一种半导体装置。所述半导体装置包括第一掺杂区域、第二掺杂区域、以及沟道区域。所述第一掺杂区域掺杂有第一类型的掺杂剂。所述第二掺杂区域掺杂有所述第一类型的掺杂剂。所述沟道区域掺杂有第二类型的掺杂剂。所述沟道区域和所述第一掺杂区域经配置以形成第一PIN(p本征n)二极管。

本发明更提供一种切换装置。所述切换装置包括第一晶体管。所述第一晶体管经布置以根据第一控制信号选择性地将第一连接端子耦合到第二连接端子，所述第一晶体管包括第一掺杂区域、第二掺杂区域、以及第一沟道区域。所述第一掺杂区域掺杂有第一类型的掺杂剂且耦合到所述第一连接端子。所述第二掺杂区域掺杂有所述第一类型的掺杂剂且耦合到所述第二连接端子。所述第一沟道区域掺杂有第二类型的掺杂剂且受所述第一控制信号控制。所述第一沟道区域经配置以使第一区域具有第一浓度的所述第二类型的掺杂剂并使第二区域具有第二浓度的所述第二类型的掺杂剂，且所述第二浓度高于所述第一浓度。

根据本发明，当第一PIN二极管形成于MOSFET的沟道区域与漏极区域之间和/或第二PIN二极管形成于沟道区域与源极区域之间时，MOSFET的接通电阻不受漏极端子与源极端子之间的电压影响。此外，MOSFET的断开电容不受MOSFET的漏极端子与源极端子之间的电压影响。当MOSFET用于形成切换装置时，切换装置的谐波功率显著减小。

附图说明

在结合附图阅读时，从以下详细描述最佳地理解本发明的各方面。应注意，根据行业中的标准惯例，各种特征件并非按比例绘制。事实上，为使论述清楚，可任意增大或减小各种特征件的尺寸。

图1是说明根据一些实施例的切换装置的图。

图2是说明根据一些实施例的开关单元的图。

图3是说明根据一些实施例的晶体管的横截面图的图。

图4是说明根据一些实施例的对应于接通的开关单元的漏极端子与源极端子之间的电压的电阻的变化的图。

图5是说明根据一些实施例的切换装置的等效电路的图。

图6是说明根据一些实施例的MOSFET的横截面图的图。

图7是说明根据一些实施例的MOSFET的横截面图的图。

图8是说明根据一些实施例的对应于断开的开关单元的漏极端子与源极端子之间的电压的电容的变化的图。

图9是说明根据一些实施例的MOSFET的横截面图的图。