[发明专利]半导体存储器件及其操作方法

权利要求书

1.一种半导体存储器件，包括：

存储单元阵列，包括多个存储块；

外围电路，被配置成对所述多个存储块之中的选中存储块执行编程操作；以及

控制逻辑，被配置成控制外围电路来执行编程操作，

其中，控制逻辑控制外围电路，以依次地：给选中字线施加编程电压；给选中字线施加验证电压以用于验证操作；给选中存储块和未选中存储块的漏极选择线施加预漏极选择线电压；对共同耦接到所述多个存储块的位线的电压电平进行放电，从而将未选中存储块中所包括的多个存储串的沟道的电势水平初始化至地电压；以及给选中字线施加下一编程电压。

2.如权利要求1所述的半导体存储器件，其中，外围电路包括：

电压发生电路，被配置成产生操作电压，所述操作电压包括预漏极选择线电压、编程电压、下一编程电压、验证电压和通过电压中的至少一种；

地址解码器，被配置成将所述操作电压传输给所述多个存储块；以及

读取/写入电路，耦接到所述位线，所述读取/写入电路被配置成在编程操作中调节位线的电势水平或者感测位线的电势水平或电流量。

3.如权利要求2所述的半导体存储器件，其中，电压发生电路：

在验证操作中，产生验证电压和通过电压，以及

验证操作一完成，就将验证电压和通过电压放电，然后产生预漏极选择线电压。

4.如权利要求3所述的半导体存储器件，其中，验证操作一完成，电压发生电路就将验证电压和通过电压放电至地电压或比地电压大的预电压中的至少一种。

5.如权利要求3所述的半导体存储器件，其中，验证操作一完成，地址解码器就将预漏极选择线电压施加给选中存储块和未选中存储块的漏极选择线。

6.如权利要求2所述的半导体存储器件，其中，当验证操作一完成预漏极选择线电压被施加给选中存储块和未选中存储块的漏极选择线时，读取/写入电路将地电压施加给位线。

7.如权利要求2所述的半导体存储器件，其中，所述多个存储串通过预漏极选择线电压而电耦接到位线。

8.如权利要求2所述的半导体存储器件，其中，控制逻辑包括：

只读存储器，被配置成储存算法，以及响应于输入命令而根据所述算法来输出多个内部控制信号；

电压发生控制电路，被配置成响应于所述多个内部控制信号中的至少一个来产生用于控制电压发生电路的电压发生电路控制信号；

地址解码器控制电路，被配置成响应于所述多个内部控制信号中的任意一个来产生用于控制地址解码器的地址解码器控制信号；以及

页缓冲器控制电路，被配置成响应于所述多个内部控制信号中的任意一个来产生用于控制读取/写入电路的页缓冲器控制信号。

9.一种操作半导体存储器件的方法，所述方法包括：

施加编程电压给存储单元阵列中所包括的多个存储块之中的选中存储块的选中字线；

通过给所述选中存储块的选中字线施加验证电压来执行验证操作；

施加预漏极选择线电压给选中存储块和未选中存储块的漏极选择线；

对共同耦接到所述多个存储块的位线的电压电平进行放电，从而将未选中存储块中所包括的多个存储串的沟道的电势水平初始化至地电压；以及

给选中字线施加下一编程电压。

10.如权利要求9所述的方法，其中，对所述电压电平放电包括：施加地电压给所述位线。

11.如权利要求9所述的方法，其中，在给选中字线施加下一编程电压后，再次执行验证操作和预漏极选择线电压的施加。

12.如权利要求9所述的方法，其中，将验证电压放电至地电压或比地电压大的预电压中的至少一种。