[发明专利]卡盘销、制造卡盘销的方法和基板处理装置在审
申请号: | 201611027478.9 | 申请日: | 2016-11-17 |
公开(公告)号: | CN107039309A | 公开(公告)日: | 2017-08-11 |
发明(设计)人: | 柳钟珉;李源晙;徐承镐 | 申请(专利权)人: | 细美事有限公司;世宗大学校产学协力团 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/687 |
代理公司: | 北京市中伦律师事务所11410 | 代理人: | 石宝忠 |
地址: | 韩国忠*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 卡盘 制造 方法 处理 装置 | ||
1.一种基板处理装置,包括:
容器,所述容器在其内侧具有处理空间;
支撑单元,所述支撑单元在所述处理空间中支撑基板;和
液体供应单元,所述液体供应单元向由所述支撑单元支撑的所述基板提供溶液,
其中所述支撑单元包括其上放置所述基板的支撑板和设置在所述支撑单元处以支撑所述基板的侧面的卡盘销,
其中所述卡盘销包括本体和在所述本体的表面上以碳化硅材料设置的第一涂膜。
2.根据权利要求1所述的装置,其中所述第一涂膜通过化学气相沉积(CVD)形成。
3.根据权利要求1所述的装置,其中所述溶液是氢氟酸、硫酸、磷酸、或其混合物。
4.根据权利要求1所述的装置,其中所述卡盘销还包括在所述第一涂膜的表面上形成的第二涂膜,并且其中所述第二涂膜被设置为氟化物涂膜。
5.一种支撑基板的侧面的卡盘销,包括:
本体;和
在所述本体的表面上以碳化硅材料设置的第一涂膜。
6.根据权利要求5所述的卡盘销,其中所述第一涂膜通过化学气相沉积(CVD)形成。
7.根据权利要求5所述的卡盘销,其中所述卡盘销还包括在所述第一涂膜的表面上的第二涂膜,并且其中所述第二涂膜被设置为氟化物涂膜。
8.一种制造支撑基板的侧面的卡盘销的方法,包括:
在本体的表面上形成以碳化硅材料设置的第一涂膜;
其中所述第一涂膜通过化学气相沉积(CVD)形成。
9.根据权利要求8所述的方法,还包括在所述第一涂膜的表面上形成被设置为氟化物涂膜的第二涂膜。
10.根据权利要求9所述的方法,其中所述氟化物涂膜通过在所述氟化物和所述第一涂膜的所述表面之间形成共价键而形成。
11.根据权利要求10所述的方法,还包括在形成所述氟化物涂膜之前在所述第一涂膜的所述表面上形成缺陷。
12.根据权利要求11所述的方法,其中所述缺陷是通过用酸或碱溶液处理所述第一涂膜的所述表面而形成的,并且其中所述氟化物涂膜是通过在该处理后的第一涂膜的所述表面供应氟化物而形成的。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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