[发明专利]半导体结构及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体结构，其包含：

半导体衬底，其包括第一表面以及与所述第一表面对立的第二表面；

浅沟槽隔离STI，其包括第一部分，所述第一部分至少部分位于所述半导体衬底内并且从所述第一表面朝向所述第二表面变窄，以及位于所述半导体衬底内的第二部分，所述第二部分与所述第一部分耦合并且从所述第一部分朝向所述第二表面延伸；以及

孔洞，其受到所述STI包围，

其中所述STI的所述第一部分包括第一侧壁及与所述第一侧壁耦合的底部侧壁，所述STI的所述第二部分包括与所述底部侧壁耦合的第二侧壁，所述底部侧壁位于所述第一侧壁及所述第二侧壁之间，所述底部侧壁与所述第二侧壁正交，所述孔洞至少部分位于所述STI的所述第二部分内。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其中所述孔洞突出到所述STI的所述第一部分中并且部分被所述STI的所述第一部分环绕。

3.根据权利要求1所述的半导体结构，其中所述STI的所述第一部分包括第一宽度以及实质小于所述第一宽度的第二宽度，从所述STI的所述第一部分朝向所述半导体衬底的所述第二表面沿着所述第二部分的高度，所述STI的所述第二部分的宽度为一致的。

4.根据权利要求3所述的半导体结构，其中所述STI的所述第二部分的所述宽度与所述STI的所述第一部分的所述第二宽度实质相等。

5.根据权利要求1所述的半导体结构，其中位于所述STI与所述半导体衬底之间的所述STI的所述第一侧壁及所述第二侧壁包括至少两个不同梯度。

6.根据权利要求1所述的半导体结构，其中所述第二侧壁的梯度实质不同于或是大于所述第一侧壁的梯度。

7.根据权利要求1所述的半导体结构，其中所述底部侧壁及所述第二侧壁之间的内角为250度到270度。

8.根据权利要求1所述的半导体结构，其中所述第二部分的宽度与所述第二部分的高度的比例实质小于1:2。

9.根据权利要求1所述的半导体结构，其中所述孔洞的体积大于所述STI的所述第二部分的体积。

10.根据权利要求1所述的半导体结构，其中所述STI为漏斗或阶梯架构。

11.根据权利要求1所述的半导体结构，其中所述STI包括氧化物，或是所述孔洞包括空气或介电常数约为1的材料或为真空。

12.根据权利要求1所述的半导体结构，进一步包含介电衬垫，其位于所述半导体衬底与所述STI之间。

13.一种半导体结构，其包含：

硅衬底，其包括第一表面以及与所述第一表面对立的第二表面；

氧化物物件，其至少部分位于所述硅衬底内，并且包括从所述第一表面朝向所述第二表面延伸的第一部分，以及位于所述硅衬底内的第二部分，所述第二部分与所述第一部分耦合并且从所述第一部分朝向所述第二表面延伸；以及

中空空间，其位于所述氧化物物件内，

其中所述氧化物物件的所述第一部分包括从所述第一表面朝向所述第二表面变窄的第一侧壁，所述氧化物物件的所述第二部分包括从所述第一部分朝向所述第二表面变窄的第二侧壁，所述中空空间至少部分位于所述STI的所述第二部分内，且突出到所述STI的所述第一部分中并且部分受到所述STI的所述第一部分的环绕。

14.根据权利要求13所述的半导体结构，其中所述中空空间为填充空气或为真空。

15.根据权利要求13所述的半导体结构，其中所述中空空间是在所述第一部分与所述第二表面之间延伸。