[发明专利]半导体结构及其制造方法

说明书

本发明提供一种半导体结构及其制造方法。半导体结构包括半导体衬底，其包括第一表面以及与所述第一表面对立的第二表面；浅沟槽隔离STI，其包括至少部分位于所述半导体衬底内并且从所述第一表面朝向所述第二表面变窄的第一部分，以及位于所述半导体衬底内的第二部分，所述第二部分是与所述第一部分耦合并且从所述第一部分朝向所述第二表面延伸；以及受到所述STI包围的孔洞，其中所述孔洞至少部分位于所述STI的所述第二部分中。

技术领域

本发明实施例涉及半导体结构及其制造方法。

背景技术

对于许多现代应用来说，使用半导体装置的电子设备是重要的。随着电子技术的进步，半导体装置的尺寸越来越小，同时具备更好的功能性与更多量的集成电路。半导体装置的制造典型涉及在半导体衬底上方设置许多元件。使用隔离结构，用以将元件彼此电隔离。而后通过在所述隔离结构上方形成传导线而互连所述元件。

由于半导体装置的微小化，半导体衬底上方的元件密度持续增加，同时元件之间的距离持续缩小。在如此小的半导体装置内实施许多制造操作，隔离结构的形成变得具有挑战性。制造半导体装置的复杂度增加可造成缺陷，例如电性隔离不良、产生破裂或是半导体装置的高产量损失。由于涉及更多具有不同材料的不同元件，对于修饰半导体装置的结构与改良制造操作有许多挑战。

发明内容

本发明的一些实施例为提供一种半导体结构，其包含半导体衬底，其包括第一表面以及与所述第一表面对立的第二表面；浅沟槽隔离(STI)，其包括第一部分，所述第一部分至少部分位于所述半导体衬底内并且从所述第一表面朝向所述第二表面变窄，以及位于所述半导体衬底内的第二部分，所述第二部分与所述第一部分耦合并且从所述第一部分朝向所述第二表面延伸；以及孔洞，其受到所述STI包围，其中所述孔洞至少部分位于所述STI的所述第二部分内。

本发明的一些实施例为提供一种半导体结构，其包含硅衬底，其包括第一表面以及与所述第一表面对立的第二表面；氧化物物件，其至少部分位于所述衬底内，并且包括从所述第一表面朝向所述第二表面延伸的第一部分，以及位于所述衬底内的第二部分，所述第二部分与所述第一部分耦合并且从所述第一部分朝向所述第二表面延伸，其中所述第二部分包括中空空间。

本发明的一些实施例为提供一种制造半导体结构的方法，其包含接收衬底；移除所述衬底的第一部分，以形成第一凹部；在所述衬底上方并且沿着所述第一凹部的侧壁与所述第一凹部的底部表面，放置掩模层；移除位于所述第一凹部的所述底部表面上方的所述掩模层的部分；移除从所述掩模层暴露的所述衬底的第二部分，以形成第二凹部；移除所述掩模层；以氧化物材料，填充所述第一凹部与所述第二凹部；以及形成孔洞，其至少部分位于所述第二凹部内。

附图说明

为协助读者达到最佳理解效果，建议在阅读本发明时同时参考随附图式及其详细文字叙述说明。请注意，为遵循业界标准作法，本专利说明书中的图式不一定按照正确的比例绘制。在某些图式中，尺寸可能刻意放大或缩小，以协助读者清楚了解其中的讨论内容。

图1为根据本发明的一些实施例说明半导体结构的剖面示意图。

图1A为根据本发明的一些实施例说明半导体结构的剖面示意图。

图2为根据本发明的一些实施例说明半导体结构的剖面示意图。

图2A为根据本发明的一些实施例说明半导体结构的剖面示意图。

图3为根据本发明的一些实施例说明具有一或多个介电层的半导体结构的剖面示意图。

图4为根据本发明的一些实施例说明具有一或多个介电层的半导体结构的剖面示意图。

图5为根据本发明的一些实施例说明具有介电衬垫的半导体结构的剖面示意图。

图6为根据本发明的一些实施例说明具有介电衬垫的半导体结构的剖面示意图。