[发明专利]球栅阵列焊接附着有效
申请号: | 201611030574.9 | 申请日: | 2016-11-18 |
公开(公告)号: | CN107039296B | 公开(公告)日: | 2020-12-08 |
发明(设计)人: | J·R·卡斯滕斯;M·S·布雷泽尔;R·S·奥基;L·S·莫蒂默 | 申请(专利权)人: | 英特尔公司 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;B23K1/20 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 邬少俊;王英 |
地址: | 美国加*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列 焊接 附着 | ||
1.一种焊接方法,包括:
将焊料设置在回流栅格阵列(RGA)中介层上的多个中介层触点中的每一个中介层触点上,所述回流栅格阵列中介层包括加热器迹线和热传感器迹线,其中将焊料设置在所述多个中介层触点中的每一个中介层触点上包括将焊料设置在中介层触点掩膜内的多个空置空间中的每一个空置空间中,并且从所述中介层触点掩膜去除过量的焊料,所述多个空置空间与所述多个中介层触点对应;以及
采用所述加热器迹线和所述热传感器迹线来控制对所述回流栅格阵列中介层上的特定区域的加热,并使所述焊料回流以形成固体焊料凸块,所述固体焊料凸块被配置为由所述回流栅格阵列中介层对其进行回流以将电气部件焊接至所述回流栅格阵列中介层,其中所述焊料为低温焊料,所述电气部件包括多个电气部件焊料凸块,所述多个电气部件焊料凸块由高温焊料构成。
2.根据权利要求1所述的方法,其中使所述焊料回流包括对中介层加热器迹线进行加热。
3.根据权利要求1所述的方法,还包括将所述电气部件焊接至所述回流栅格阵列中介层。
4.根据权利要求3所述的方法,其中焊接所述电气部件包括将助焊剂施加至所述固体焊料凸块。
5.根据权利要求4所述的方法,其中焊接所述电气部件包括使所述固体焊料凸块与所述电气部件上的多个部件触点对准。
6.根据权利要求5所述的方法,其中使所述固体焊料凸块对准包括将对准固定装置设置在所述回流栅格阵列中介层上并且将所述电气部件设置在所述对准固定装置内。
7.根据权利要求3所述的方法,其中焊接所述电气部件包括使所述固体焊料凸块回流。
8.根据权利要求7所述的方法,其中焊接所述电气部件包括使所述电气部件上的多个电气部件焊料凸块回流,以在所述多个电气部件焊料凸块与所述固体焊料凸块之间形成电接触。
9.一种焊接方法,包括:
将助焊剂施加至回流栅格阵列(RGA)中介层上的固体焊料凸块,其中所述固体焊料凸块由低温焊料构成,所述回流栅格阵列中介层包括加热器迹线和热传感器迹线,其中所述固体焊料凸块是通过使设置在中介层触点掩膜内的多个空置空间中的每一个空置空间中的焊料回流得到的,并且所述焊料在回流之前被施加到所述空置空间中并且被去除过量的部分;
将电气部件设置在所述回流栅格阵列中介层上,其中所述电气部件包括多个电气部件焊料凸块,所述多个电气部件焊料凸块由高温焊料构成;以及
采用所述加热器迹线和所述热传感器迹线来控制对所述回流栅格阵列中介层上的特定区域的加热,并将所述电气部件焊接至所述回流栅格阵列中介层。
10.根据权利要求9所述的方法,其中焊接所述电气部件包括使所述固体焊料凸块回流。
11.根据权利要求10所述的方法,其中焊接所述电气部件包括使所述电气部件上的多个电气部件焊料凸块回流,以在所述多个电气部件焊料凸块与所述固体焊料凸块之间形成电接触。
12.一种焊接设备,包括:
回流栅格阵列(RGA)中介层,所述回流栅格阵列中介层包括加热器迹线、热传感器迹线和多个中介层触点,其中,所述加热器迹线和所述热传感器迹线用于控制对所述回流栅格阵列中介层上的特定区域的加热;
在所述多个中介层触点中的每一个中介层触点上的被回流的固体焊料凸块,其中所述固体焊料凸块由低温焊料构成,其中所述固体焊料凸块是通过使设置在中介层触点掩膜内的多个空置空间中的每一个空置空间中的焊料回流得到的,并且所述焊料在回流之前被施加到所述空置空间中并且被去除过量的部分;以及
焊接至所述回流栅格阵列中介层的电气部件,其中所述加热器迹线被配置为使所述固体焊料凸块回流,以将所述电气部件焊接至所述回流栅格阵列中介层,其中所述电气部件包括多个电气部件焊料凸块,所述多个电气部件焊料凸块由高温焊料构成。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造