[发明专利]一种厚膜高频20瓦负载片及其生产方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种氮化铝陶瓷基板负载片，特别涉及一种厚膜高频20瓦负载片。

背景技术

氮化铝陶瓷基板负载片主要用于在通信基站中吸收通信部件中反向输入的功率，如果不能承受要求的功率，负载就会烧坏，可能导致整个设备烧坏。目前大多数通讯基站都是应用大功率陶瓷负载片来吸收通信部件中反向输入功率，要求基本的尺寸越来越小,而需要吸收的功率越来越大，产品的特性也就是VSWR(驻波比)要越小越好。随着4G网络的基站布置已经过半，5G网络的开发已经提上日程。因为5G网络的使用频率高，都需要超过3GHz,所以只能应用于3GHz以内的负载片，已经不能满足5G网络的应用要求，随着频段的增高,产品的VSWR也就会越高.目前国内的负载片VSWR一般都是在3GHz以内达到要求.随着使用频率的越来越高，信号的辐射范围也就会越来越小，所以基站的布网密度也越来越大，也要求基站越来越小型化。所以尺寸越小，能达到的频段越高,是发展的方向.

目前高频段的负载片的生产都是采用的真空溅射的生产工艺，真空溅射的生产工艺设备本高，生产较难控制，而目前国内还没有厂家能够应用真空溅射工艺生产功率负载片，因此，提供高功率负载片满足4G和5G网络的需求，同时，提供一种切实可行的生产方法是生产企业迫切需要突破的瓶颈。

发明内容

针对上述现有技术的不足，本发明要解决的第一个技术问题是提供一种能够承受20W的功率，驻波需要能满足目前4G以及将来5G网路需求的小尺寸氮化铝陶瓷基板厚膜工艺负载片。

为解决该技术问题，本发明采用如下技术方案：一种厚膜高频20瓦负载片，其特征在于：包括一5*2.5*0.635mm的氮化铝基板（1），所述氮化铝基板的背面印刷背导层，所述氮化铝基板的正面印刷有电阻（3）及导线（2），所述导线连接所述电阻形成负载电路，所述负载电路的接地端与背导层通过银浆电连接，所述电阻上印刷有玻璃保护膜（4），所述导线和玻璃保护膜的上表面还印刷有一层黑色保护膜（5），印刷基板正面电阻的浆料采用粘度为50000-55000cps的触变型浆料，通过400目的高精度钢丝网版印刷浆料。

所述的厚膜高频20瓦负载片，优选的，所述背导层及导线由导电银浆印刷而成，所述电阻由电阻浆料印刷而成。

本发明要解决的另一个技术问题是提供一种能够承受20W的功率，驻波需要能满足目前4G以及将来5G网路需求的小尺寸氮化铝陶瓷基板厚膜工艺负载片的高效、低成本以及高品质的生产方法，包括如下步骤：

（1）清洁基板步骤：

选取尺寸为5*2.5*0.635mm的氮化铝基板，采用95%以上的无水酒精清洗基板，溶剂挥发完毕后，于2小时内进行印刷导体步骤；

（2）印刷背导层：采用厚膜印刷工艺，选用张力为的25±1N的网版，控制温度保持在25±2℃，将浆料通过网版印刷到基板的正面，放置15min后，将基板放入烘箱预烘，预烘结束后进行高温烧结；

（3）印刷正导层步骤：采用与印刷背面导体相同的方式印刷正导层，正导层包括了焊盘和微带线；

（4）印刷正面电阻步骤：在正面导体上进一步印刷电阻，印刷基板正面电阻的浆料采用粘度为50000-55000cps的触变型浆料，采用400目的高精度钢丝网版印刷浆料，印刷完成后，放入烘箱预烘，预烘结束后进行高温烧结；

（5）印刷绿色玻璃保护膜步骤：电阻上印刷有玻璃保护膜，采用与印刷正面导体相同的方式印刷绿色玻璃保护膜，然后将基板放入烘箱预烘，预烘结束后，在低于电阻高温烧结的温度下进行烧结；

（6）调阻程序：调阻采用U型切割方式，对电阻进行精确切割，切割完成后，采用激光调阻，阻值精度达到1%；

（7）黑色保护膜印刷步骤：采用与印刷正面导体相同的方式印刷，黑色保护膜印刷操作结束后，放置留平，同时进行预烘干，预烘后，对产品进行高温烘烤，黑色保护膜彻底固化；

（8）产品端接地银浆印刷步骤：将正导层和背导层通过端接地银浆导通，形成完整电路；

（9）电镀处理步骤。

所述的厚膜高频20瓦负载片的生产方法，优选的，所述步骤（2）和步骤（3）中预烘过程的预烘温度为165℃，预烘时间为15-20min，高温烧结的温度为850-900℃，步骤（2）中烧结时间为15-20min，步骤（3）中高温烧结的时间为15-20min。