[发明专利]一种浮栅生成方法、闪存浮栅生成方法及闪存制造方法

权利要求书

1.一种浮栅生成方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤1，在衬底待生成浮栅区生成隔离；

步骤2，在衬底上沉积生成多晶硅层；所述多晶硅层包括待生成浮栅区多晶硅层和非生成浮栅区多晶硅层；

步骤3，对所述待生成浮栅区多晶硅层进行离子注入，以改变所述待生成浮栅区多晶硅层的结晶状态；

步骤4，对多晶硅层进行化学机械研磨，直至所述待生成浮栅区多晶硅层被所述隔离分离，以形成栅格；

步骤5，去除所述非生成浮栅区多晶硅层，以形成浮栅。

2.根据权利要求1所述一种浮栅生成方法，其特征在于，所述步骤3包括，在所述多晶硅层上涂覆光刻胶，光刻去除所述待生成浮栅区多晶硅层上的光刻胶，保留所述非生成浮栅区多晶硅层上的光刻胶，以保留的光刻胶为掩膜对所述多晶硅层进行离子注入，以改变所述待生成浮栅区多晶硅层的结晶状态。

3.根据权利要求2所述一种浮栅生成方法，其特征在于，所述离子注入为垂直于所述多晶硅层上表面的离子注入。

4.根据权利要求2所述一种浮栅生成方法，其特征在于，所述步骤3还包括，进行离子注入后，去除所述保留的光刻胶。

5.根据权利要求1至4任一所述一种浮栅生成方法，其特征在于，所述化学机械研磨使用Si O₂基研磨液或CeO₂基研磨液。

6.一种闪存浮栅生成方法，其特征在于，采用权利要求1至5任一所述一种浮栅生成方法，所述隔离为浅槽隔离。

7.根据权利要求6所述一种闪存浮栅生成方法，其特征在于，所述离子注入中注入的离子为磷离子。

8.一种闪存制造方法，其特征在于，采用权利要求7所述一种闪存浮栅生成方法，在待制造闪存的存储区生成浮栅。

9.根据权利要求8所述一种闪存制造方法，其特征在于，外围电路区所需的浅槽隔离与所述存储区的浅槽隔离同时生成。