[发明专利]一种浮栅生成方法、闪存浮栅生成方法及闪存制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种浮栅生成方法、闪存浮栅生成方法及闪存制造方法。

背景技术

现有闪存制造工艺在存储区形成浮栅的具体制程为：在存储区已生成浅槽隔离的衬底上沉积生成多晶硅层，再由化学机械研磨的方式去除多晶硅层，直至多晶硅层在存储区被浅槽隔离分离形成栅格，然后对多晶硅层进行离子注入，最后去除外围电路区的多晶硅层，从而在存储区形成浮栅。

但是由于外围电路区浅槽隔离少于存储区浅槽隔离，导致化学机械研磨时，研磨速率存储区低于外围电路区，存储区和外围电路区剩余的多晶硅层的厚度存在台阶差；当存储区多晶硅层厚度满足浮栅要求时，外围电路区多晶硅层过薄；过薄的外围电路区多晶硅层在去除时，容易导致衬底有源区硅的损伤，从而导致闪存器件无法正常开启，甚至失效。

发明内容

本发明目的是提供一种浮栅生成方法、闪存浮栅生成方法及闪存制造方法，解决现有技术中存在的上述问题。

本发明解决上述技术问题的技术方案如下：

一种浮栅生成方法，包括如下步骤：

步骤1，在衬底待生成浮栅区生成隔离；

步骤2，在衬底上沉积生成多晶硅层；所述多晶硅层包括待生成浮栅区多晶硅层和非生成浮栅区多晶硅层；

步骤3，对所述待生成浮栅区多晶硅层进行离子注入，以改变所述待生成浮栅区多晶硅层的结晶状态；

步骤4，对多晶硅层进行化学机械研磨，直至所述待生成浮栅区多晶硅层被所述隔离分离，以形成栅格；

步骤5，去除所述非生成浮栅区多晶硅层，以形成浮栅。

本发明的有益效果是：将现有浮栅生成方式中的离子注入进程提到化学机械研磨进程之前，并且仅对待生成浮栅区多晶硅层进行离子注入；由于待生成浮栅区多晶硅层的结晶状态被破坏，从而提高化学机械研磨中待生成浮栅区多晶硅层的研磨速率，进而弥补由于待生成浮栅区多晶硅层中存在隔离所降低的研磨速率，保证待生成浮栅区多晶硅层的研磨速率不低于非生成浮栅区多晶硅层的研磨速率；进一步保证待生成浮栅区多晶硅层的厚度满足浮栅要求时，非生成浮栅区多晶硅层具有一定厚度；避免去除此非生成浮栅区多晶硅层的过程中损伤衬底，导致生成的器件无法正常开启或失效；且有效避免了现有生成方式中化学机械研磨后再完成待生成浮栅区多晶硅层离子注入，在离子注入进程中，由于非生成浮栅区多晶硅层过薄，如未对此部分采取保护措施，离子注入会影响衬底的可能。

在上述技术方案的基础上，本发明还可以做如下改进。

进一步，所述步骤3包括，在所述多晶硅层上涂覆光刻胶，光刻去除所述待生成浮栅区多晶硅层上的光刻胶，保留所述非生成浮栅区多晶硅层上的光刻胶，以保留的光刻胶为掩膜对所述多晶硅层进行离子注入，以改变所述待生成浮栅区多晶硅层的结晶状态。

采用上述进一步方案的有益效果是，将光刻胶与光刻相结合，在非生成浮栅区多晶硅层上生成离子注入过程中所需的掩膜，保证非生成浮栅区多晶硅层不受离子注入的影响，工艺简单可行。

进一步，所述离子注入为垂直于所述多晶硅层上表面的离子注入。

采用上述进一步方案的有益效果是，保证离子注入在待生成浮栅区多晶硅层的均匀性，且不会影响到非生成浮栅区多晶硅层。

进一步，所述步骤3还包括，进行离子注入后，去除所述保留的光刻胶。

采用上述进一步方案的有益效果是，避免光刻胶对化学机械研磨的影响。

进一步，所述化学机械研磨使用SiO₂基研磨液或CeO₂基研磨液。

本发明的另一技术方案如下：

一种闪存浮栅生成方法，采用上述一种浮栅生成方法，所述隔离为浅槽隔离。

本发明的有益效果是：避免闪存浮栅生成过程中损伤衬底，导致生成的闪存无法正常开启或失效。

在上述技术方案的基础上，本发明还可以做如下改进。

进一步，所述离子注入中注入的离子为磷离子。

本发明的另一技术方案如下：

一种闪存制造方法，采用上述一种闪存浮栅生成方法，在待制造闪存的存储区生成浮栅。

本发明的有益效果是：避免在闪存的存储区生成浮栅过程中损伤衬底，导致生成的闪存无法正常开启或失效。

在上述技术方案的基础上，本发明还可以做如下改进。

进一步，外围电路区所需的浅槽隔离与所述存储区的浅槽隔离同时生成。