[发明专利]半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201611040115.9 | 申请日： | 2016-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN107492568A | 公开（公告）日： | 2017-12-19 |
| 发明（设计）人： | 冯家馨 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人： | 章社杲,李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体器件，包括：
至少一个纳米线结构，设置在半导体衬底上并且在所述半导体衬底上以第一方向延伸，
其中，每个所述纳米线结构包括沿着所述第一方向延伸并且在第二方向上布置的多个纳米线，所述第二方向垂直于所述第一方向，
其中，每个所述纳米线与直接相邻的纳米线间隔开；
栅极结构，位于所述纳米线结构的第一区域上方以第三方向延伸，所述第三方向垂直于所述第一方向和所述第二方向，并且所述栅极结构包括栅电极；
源极/漏极区，设置在所述纳米线结构的第二区域上方，所述纳米线结构的第二区域位于所述栅极结构的相对两侧上，
其中，所述栅电极包裹环绕每个所述纳米线，以及
当在沿着所述第三方向截取的截面图中观察时，所述纳米线结构中的每个所述纳米线的形状不同于所述纳米线结构中的其他纳米线的形状，并且所述纳米线结构中的每个所述纳米线具有与所述纳米线结构中的其他所述纳米线相同的截面面积。
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