[发明专利]一种NAND Flash坏块管理方法及系统

权利要求书

1.一种NAND Flash坏块管理方法，其特征在于，包括：

步骤1，建立NAND Flash存储阵列中存储块与逻辑地址对应关系的映射表，且所述映射表中的逻辑地址都对应配置有块状态标识，所述映射表中逻辑地址分为工作区和备用区，所述块状态标识为坏块的工作区逻辑地址还配置有偏移地址；

步骤2，接收外部指令解析获得操作指令和目标逻辑地址；

步骤3，判断所述目标逻辑地址属于工作区还是备用区，若所述目标逻辑地址属于工作区，且根据所述块状态标识确定所述存储块为坏块，则目标物理地址等于所述备用区最高位地址减去所述偏移地址；

步骤4，根据所述操作指令对所述目标物理地址对应的目标存储块进行操作；

步骤5，检验所述目标存储块的状态，若所述目标存储块为坏块；

步骤6，判断目标逻辑地址属于工作区还是备用区，

若目标逻辑地址属于工作区，且对应映射表中块状态标识为好块，则将从备用区最高位向低位顺序第一个块状态标识为未用好块的存储块作为替换块，在映射表中修改该替换块的块状态标识为已用好块，将该替换块相对于备用区最高位地址的偏移地址和坏块标识写入映射表，返回步骤2，

若目标逻辑地址属于工作区，且对应映射表中块状态标识为坏块，则先在映射表中将当前替换块的块状态标识修改为坏块，再将从备用区最高位向低位顺序第一个块状态标识为未用好块的存储块作为新替换块，在映射表中修改该新替换块的块状态标识为已用好块，将该新替换块相对于备用区最高位地址的偏移地址写入映射表中，返回步骤2。

2.根据权利要求1所述的一种NAND Flash坏块管理方法，其特征在于，步骤1中所述映射表中工作区的逻辑地址设置为小于所述备用区的逻辑地址。

3.根据权利要求1所述的一种NAND Flash坏块管理方法，其特征在于，步骤3还包括：若所述目标逻辑地址属于工作区，且根据所述块状态标识确定所述存储块好块，则目标物理地址等于目标逻辑地址。

4.根据权利要求1所述的一种NAND Flash坏块管理方法，其特征在于，步骤3还包括：若所述目标逻辑地址属于备用区，判断所述目标逻辑地址对应的块状态标识是否为未用好块；

若为已用好块或坏块，则返回步骤2；

若为未用好块，则目标物理地址等于目标逻辑地址。

5.根据权利要求1所述的一种NAND Flash坏块管理方法，其特征在于，步骤6还包括：若目标逻辑地址属于映射表的备用区，则在映射表中将该目标逻辑地址对应的块状态标识修改为坏块。

6.根据权利要求1所述的一种NAND Flash坏块管理方法，其特征在于，步骤5中检验所述目标存储块的状态的过程包括：

在所述目标存储块检测纠错码错误的数量超过预设阈值时，或

在所述目标存储块檫除或编程结束后检测到NAND Flash状态寄存器中D0位为1时，

确定所述目标存储块为坏块。