[发明专利]一种NAND Flash坏块管理方法及系统

说明书

本发明提供了一种NAND Flash坏块管理方法及系统，包括：若目标逻辑地址属于工作区，且为坏块，则目标物理地址等于备用区最高位地址减去偏移地址；对目标存储块进行操作之后检验目标存储块的状态，若目标存储块为坏块属于工作区，且标识为好块，则将从备用区最高位向低位顺序第一个标识为未用好块的存储块作为替换块，在映射表中修改该替换块的标识为已用好块，将该替换块相对于备用区最高位地址的偏移地址和坏块标识写入映射表中；若目标逻辑地址属于工作区，且对应映射表中块状态标识为坏块，则先在映射表中将当前替换块的块状态标识修改为坏块，再将新替换块相对于备用区最高位地址的偏移地址和坏块标识写入映射表中。

技术领域

本发明涉及固态存储技术领域，具体地，涉及一种NAND Flash坏块管理方法及系统。

背景技术

随着半导体工艺和计算机技术的发展,NAND Flash以其优良的存储特性成为现在的存储器发展方向。目前NAND Flash设备已经逐步替代其它数据存储器，成为大容量高速数据采集设备中的主要数据载体。同时由于单片芯片存储容量相对较小，读写速度相对慢，通过构建存储阵列来提升存储容量和存储速度的方法得到广泛研究。

由于制造工艺的问题，NAND Flash在出厂时难免会产生坏块，同时芯片在使用过程中也会产生坏块。在研究如何提高存储速度的同时，研究高效的坏块管理策略也显得尤为重要。常用的坏块管理策略标记坏块位表和坏块保留替换法，标记坏块位表用简单的跳过方式避免数据的错误；由于该方法会破坏逻辑地址和物理地址间的映射关系，只适用于简单顺序读写的高速场合。坏块保留替换法通过设置好块保留区，通过物理地址映射实现坏块管理，该方法需要耗费大量的内存资源，并且随着存储芯片的增加，耗费的内存资源也越来越多。

发明内容

针对现有技术中的缺陷，本发明的目的是提供一种NAND Flash坏块管理方法及系统。

根据本发明提供的一种NAND Flash坏块管理方法，包括：

步骤1，建立NAND Flash存储阵列中存储块与逻辑地址对应关系的映射表，且所述映射表中的逻辑地址都对应配置有块状态标识，所述映射表中逻辑地址分为工作区和备用区，所述块状态标识为坏块的工作区逻辑地址还配置有偏移地址；

步骤2，接收外部指令解析获得操作指令和目标逻辑地址；

步骤3，判断所述目标逻辑地址属于工作区还是备用区，若所述目标逻辑地址属于工作区，且根据所述块状态标识确定所述存储块为坏块，则目标物理地址等于所述备用区最高位地址减去所述偏移地址；

步骤4，根据所述操作指令对所述目标物理地址对应的目标存储块进行操作；

步骤5，检验所述目标存储块的状态，若所述目标存储块为坏块；

步骤6，判断目标逻辑地址属于工作区还是备用区，

若目标逻辑地址属于工作区，且对应映射表中块状态标识为好块，则将从备用区最高位向低位顺序第一个块状态标识为未用好块的存储块作为替换块，在映射表中修改该替换块的块状态标识为已用好块，将该替换块相对于备用区最高位地址的偏移地址和坏块标识写入映射表，返回步骤2，

若目标逻辑地址属于工作区，且对应映射表中块状态标识为坏块，则先在映射表中将当前替换块的块状态标识修改为坏块，再将从备用区最高位向低位顺序第一个块状态标识为未用好块的存储块作为新替换块，在映射表中修改该新替换块的块状态标识为已用好块，将该新替换块相对于备用区最高位地址的偏移地址写入映射表中，返回步骤2。

作为一种优选方案，步骤1中所述映射表中工作区的逻辑地址设置为小于所述备用区的逻辑地址。

作为一种优选方案，步骤3还包括：若所述目标逻辑地址属于工作区，且根据所述块状态标识确定所述存储块好块，则目标物理地址等于目标逻辑地址。