[发明专利]一种管理坏列地址的方法及其装置

说明书

本发明公开了一种管理坏列地址的方法及其装置。其中，所述管理坏列地址的方法包括：获取非线性闪存中所有列地址对应的列地址标识；所述列地址标识用于表示所述列地址对应的存储空间是否损坏；所述列地址标识为单个列地址标识顺序组合后形成的列地址标识序列；根据所述列地址标识确定与所述列地址标识匹配的目标编码方式；通过所述目标编码方式对所述列地址标识进行编码；当编码前的所述列地址标识对应的第一数据长度大于编码后的所述列地址标识对应的第二数据长度时，存储编码后的所述列地址标识；当该第一数据长度小于该第二数据长度时，存储编码前的所述列地址标识。通过上述方式，能够节省存储坏列信息所占用的存储空间，提高其内存利用率。

技术领域

本发明属于集成电路存储技术领域，尤其涉及一种管理坏列地址的方法及其装置。

背景技术

非线性闪存Nand Flash是闪存(Flash Memory)的一种，因其具有擦写速度快、储存容量大、单位成本低的优点，得到广泛应用，例如，嵌入式产品中包括数码相机、MP3随身听记忆卡、体积小巧的U盘等。

Nand Flash在物理上分为块(Block)、页(Page)、列(Column)或物理单元(Cell)，Nand Flash由若干块组成，而其中每个块由若干个页组成，而其中每个页则由若干列(或物理单元)组成。不同类型的Flash，其一个列(物理单元)可以存储1个bit或2个bit，甚至更多个bit的数据。

其中，Nand Flash的读写操作单位是页，擦除操作则是以块为单位，并且NandFlash的物理单元在写操作(Program)时只能由1变为0，所以写过的单元也只能通过擦除(Erase)的方法来恢复。Nand Flash的列经过一定的擦除和写入操作之后，1或0的状态变得不稳定，存储数据出现错误，这些列就认为已经损坏。

由于一个页中的若干个列损坏时，该页还有很多列可以用于存储，因此需要记录坏列信息，以避免在坏列中存储数据。

现有技术中，通常通过存储坏列地址记录坏列信息。如果Nand Flash中每多一个坏列，需要多存储一个16比特bit的坏列地址，所以N个坏列地址就需要N*16bit的存储空间。占用的坏列信息存储空间。当坏列越多，占用的存储空间越多，降低内存利用率。

发明内容

本发明提供一种管理坏列地址的方法及其装置，能够节省存储环列信息所占用的存储空间，提高其内存利用率。

为解决上述问题，本发明第一方面提供一种管理坏列地址的方法，所述管理坏列地址的方法包括：

获取非线性闪存中所有列地址对应的列地址标识；其中，所述列地址标识用于表示所述列地址对应的存储空间是否损坏；所述列地址标识为单个列地址标识顺序组合后形成的列地址标识序列；

根据所述列地址标识确定与所述列地址标识匹配的目标编码方式；通过所述目标编码方式对所述列地址标识进行编码；

当第一数据长度大于第二数据长度时，存储编码后的所述列地址标识；其中，所述第一数据长度为编码前的所述列地址标识对应的数据长度；所述第二数据长度为编码后的所述列地址标识对应的数据长度；

当所述第一数据长度小于所述第二数据长度时，存储编码前的所述列地址标识。

为解决上述问题，本发明提供第二方面提供一种管理坏列地址的装置，所述装置包括：

获取模块，用于获取非线性闪存中所有列地址对应的列地址标识；其中，所述列地址标识用于表示所述列地址对应的存储空间是否损坏；所述列地址标识为单个列地址标识顺序组合后形成的列地址标识序列；

确定模块，用于根据所述列地址标识确定与所述列地址标识匹配的目标编码方式；