[发明专利]电子设备

权利要求书

1.一种包括半导体存储器的电子设备，所述半导体存储器包括：

用于储存数据的单元阵列，这些单元阵列中的每个包括用于储存数据的多个阻变储存单元；

电流码发生块，所述电流码发生块包括耦接至对应单元阵列以在测试操作期间能操作的电流码发生块，并且被构建成：提供流经所述对应单元阵列中的至少两个第一阻变储存单元的测试电流，获得与测试电流的平均值相对应的平均电流，以及基于所述平均电流产生电流码；以及

感测块，所述感测块包括耦接至所述对应单元阵列的感测块，并且被构建成将流经所述对应单元阵列的第二阻变储存单元的读取电流与参考电流相比较，由此感测所述第二阻变储存单元的数据，

其中，半导体存储器关联于所述对应单元阵列而能操作以基于电流码的值来调整参考电流或流经第二阻变储存单元的读取电流的电流量，

其中，当平均电流增大时，半导体存储器能操作以减小感测块的读取电流，而当平均电流减小时，半导体存储器能操作以增大感测块的读取电流。

2.根据权利要求1所述的电子设备，其中，半导体存储器还包括：

非易失性储存块，耦接到所述电流码发生块且被构造成用于储存电流码。

3.根据权利要求1所述的电子设备，其中，所述电流码发生块中的每个包括：

平均电流发生单元，在测试操作中产生平均电流，所述平均电流具有与测试电流的电流量的平均值相对应的电流量；以及

码发生单元，基于所述平均电流而产生电流码。

4.根据权利要求3所述的电子设备，其中，所述平均电流发生单元包括至少两个电流复制部，所述至少两个电流复制部通过复制流经一组第一阻变储存单元之中的选中的第一阻变储存单元的测试电流来产生复制电流，以及平均电流发生单元通过将由所述至少两个电流复制部复制的复制电流相加而产生平均电流。

5.根据权利要求1所述的电子设备，其中，半导体存储器被构造成使得在测试操作中，全部这些单元阵列都被写入相同的数据。

6.根据权利要求1所述的电子设备，

其中，当平均电流增大时，半导体存储器能操作以增大感测块的参考电流，而当平均电流减小时，半导体存储器能操作以减小感测块的参考电流。

7.根据权利要求1所述的电子设备，其中

所述多个阻变储存单元中的每个包括：

可变电阻元件，被构造成展现可变电阻值，且被设置成表示该阻变储存单元中储存的数据的特定电阻值；以及

选择元件，耦接到可变电阻元件以导通或切断到所述可变电阻元件的导电路径。

8.根据权利要求7所述的电子设备，其中，所述可变电阻元件包括金属氧化物或包括其中隧道势垒层介于两个铁磁层之间的结构。

9.根据权利要求1所述的电子设备，还包括微处理器，

其中，所述微处理器包括：

访问控制单元，适用于从微处理器的外部接收具有命令的信号，提取或解码命令或者执行微处理器的信号的输入/输出控制；

操作单元，适用于根据所述访问控制单元中的命令的解码结果来执行操作；以及

储存单元，适用于储存要操作的数据、与操作结果相对应的数据或者要操作的数据的地址，以及

其中，所述半导体存储器是所述微处理器内的储存单元的部件。

10.根据权利要求1所述的电子设备，还包括处理器，

其中，所述处理器包括：

核心单元，适用于根据从处理器的外部输入的命令来使用数据执行与所述命令相对应的操作；

高速缓冲存储单元，适用于储存要操作的数据、与操作结果相对应的数据或者要操作的数据的地址；以及

总线接口，耦接在核心单元与高速缓冲存储单元之间，且在核心单元与高速缓冲存储单元之间传输数据，以及

其中，所述半导体存储器是所述处理器内的高速缓冲存储单元的部件。