[发明专利]电子设备

说明书

提供一种包括半导体存储器的电子设备。半导体存储器可以包括：单元阵列，包括多个阻变储存单元；电流码发生块，适用于在测试操作中产生电流码，该电流码具有与分别流经所述多个阻变储存单元之中的至少两个第一阻变储存单元的测试电流的电流量的平均值相对应的值；以及感测块，适用于将流经所述多个阻变储存单元之中的选中的第二阻变储存单元的读取电流与参考电流相比较，由此感测第二阻变储存单元的数据，其中，半导体存储器能操作以基于电流码的值来调整流经感测块的至少一个电流的电流量。

相关申请的交叉引用

本申请要求2016年4月8日提交给韩国知识产权局的第10-2016-0043276号韩国专利申请的优先权和益处，其全部内容通过引用其整体合并于此。

技术领域

本专利文件涉及存储电路或器件以及它们在电子设备或系统中的应用。

背景技术

近来，随着电子装置朝着微型化、低功耗、高性能、多功能等方向发展，本领域需要能在诸如计算机、便携式通信器件等各种电子装置中储存信息的半导体器件，且已经对这样的半导体器件开展了研发。这种半导体器件包括能利用根据施加的电压或电流在不同的电阻状态之间切换的特性来储存数据的半导体器件，例如，RRAM(阻变随机存取存储器)、PRAM(相变随机存取存储器)、FRAM(铁电随机存取存储器)、MRAM(磁随机存取存储器)、电子熔丝等。

发明内容

下面在各个实施例中描述具有半导体存储器的电子设备的技术，其中，通过将每个单元阵列的特性反映在读取电流或参考电流上，来增加读取裕度。

在一个实施例中，一种电子设备可以包括半导体存储器。

半导体存储器可以包括：单元阵列，包括多个阻变储存单元；电流码发生块，适用于在测试操作中产生电流码，所述电流码具有与分别流经所述多个阻变存储单元之中的至少两个第一阻变储存单元的测试电流的电流量的平均值相对应的值；以及感测块，适用于将流经所述多个阻变储存单元之中的选中的第二阻变储存单元的读取电流与参考电流相比较，由此感测第二阻变储存单元的数据，其中，半导体存储器能操作以基于电流码的值来调整流经感测块的至少一个电流的电流量。

半导体存储器还可以包括：非易失性储存块，用于储存电流码，且耦接到电流码发生块。

电流码发生块可以包括：平均电流发生单元，在测试操作中产生平均电流，所述平均电流具有与测试电流的电流量的平均值相对应的电流量；以及码发生单元，基于平均电流产生电流码。

平均电流发生单元可以包括至少两个电流复制部，所述至少两个电流复制部通过复制流经一组第一阻变储存单元之中的选中的第一阻变储存单元的测试电流来产生复制电流，并且平均电流发生单元通过将由所述至少两个电流复制部复制的复制电流相加来产生平均电流。

码发生单元可以包括：积分器，根据时间对平均电流积分以及产生输出电压；以及多个比较部，从积分器的积分开始的时间开始经过预定时间之后，所述多个比较部将输出电压与具有不同电平的多个比较电压相比较，以及产生在电流码中包括的多个位之中的相应的位。

半导体存储器可以被构造成，在测试操作中，所述多个阻变储存单元被写入相同的数据。

半导体存储器能操作以基于电流码的值来调整参考电流的电流量，以及当测试电流的电流量的平均值增大时，半导体存储器能操作以增加参考电流的电流量，而当测试电流的电流量的平均值减小时，半导体存储器能操作以减少参考电流的电流量。

半导体存储器可以操作以基于电流码的值来调整读取电流的电流量，以及当测试电流的电流量的平均值增大时，半导体存储器能操作以减少读取电流的电流量，而当测试电流的电流量的平均值减小时，半导体存储器能操作以增加读取电流的电流量。