[发明专利]包括子共源极的非易失性存储器装置

权利要求书

1.一种非易失性存储器装置，其包括：

存储块，其包括多个单元串，其中所述多个单元串的每个包括与堆叠在衬底上方的字线电联接的存储器单元；

多个子共源极；以及

多个位线组，每个位线组包括多个位线，

其中所述存储块包括对应于所述多个子共源极的多个子块，每个子块包括电联接到相同位线组中的位线的多个单元串，

其中所述子共源极的每个对应于所述多个单元串的单元串子集并电联接到相应单元串子集内的每个单元串的第一端，

每个位线组对应于每个单元串子集，每个位线电联接到相应单元串子集内的一个或多个单元串的第二端，

其中包括在相同子块中的单元串子集电联接到包括在相同位线组中的位线，并且包括在不同子块中的单元串子集电联接到包括在不同位线组中的位线，使得在擦除操作中将擦除电压仅施加到所述多个子共源极之中的与所选择子块相对应的子共源极，并且仅将所述多个位线组之中的与所选择子块相对应的位线组中的位线浮置，从而禁止未选择子块被擦除。

2.根据权利要求1所述的非易失性存储器装置，其中所述子块的每个包括电联接到相同子共源极的单元串子集，并且包括在不同子块中的单元串子集电联接到不同子共源极，

其中所述单元串的每个包括串联连接在对应位线和对应子共源极之间的至少一个漏极选择晶体管、多个存储器单元和至少一个源极选择晶体管，并且

其中在擦除操作中，擦除电压被施加到所述多个子共源极中对应于选择的子块的子共源极，并且未选择的擦除电压被施加到所述多个子共源极中对应于未选择的子块的子共源极。

3.根据权利要求1所述的非易失性存储器装置，其中通过将擦除电压单独地施加到所述子共源极，擦除操作以子块为单位被执行。

4.根据权利要求3所述的非易失性存储器装置，其中，在所述擦除操作中，所述擦除电压被施加到所述多个子共源极中对应于选择的子块的子共源极，并且未选择的擦除电压被施加到所述多个子共源极中对应于未选择的子块的子共源极。

5.根据权利要求1所述的非易失性存储器装置，其中所述子共源极在字线方向上布置。

6.根据权利要求2所述的非易失性存储器装置，

其中所述位线包括至少一个奇数位线和至少一个偶数位线，

其中所述位线组包括第一位线组和第二位线组，所述第一位线组包括所述至少一个奇数位线，所述第二位线组包括所述至少一个偶数位线，并且

其中所述子块包括：

第一子块，其包括电联接在所述第一位线组的至少一个奇数位线和所述多个子共源极中的第一子共源极之间的单元串；以及

第二子块，其包括电联接在所述第二位线组的至少一个偶数位线和所述多个子共源极中的第二子共源极之间的单元串。

7.根据权利要求6所述的非易失性存储器装置，其中所述子共源极包括：

第一子共源极，其与所述第一子块的单元串电联接；以及

第二子共源极，其与所述第二子块的单元串电联接。

8.根据权利要求7所述的非易失性存储器装置，

其中所述第一子共源极包括多个第一段，并且所述第二子共源极包括多个第二段，以及

其中所述第一段和所述第二段在位线方向上交替地设置。

9.根据权利要求8所述的非易失性存储器装置，其进一步包括：

缝隙，其穿过所述存储块并暴露所述第一段和所述第二段。

10.根据权利要求9所述的非易失性存储器装置，其进一步包括：

第一源极线和第二源极线，其设置在所述存储块上方；

第一接触插塞，其设置在暴露所述第一段的缝隙中，并电联接所述第一段和所述第一源极线；以及

第二接触插塞，其设置在暴露所述第二段的缝隙中，并电联接所述第二段和所述第二源极线。