[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：

提供衬底结构，所述衬底结构包括：具有第一器件区和第二器件区的衬底、在所述第一器件区上的第一伪栅结构、在所述第二器件区上的第二伪栅结构、以及在所述第一伪栅结构下方的漏极轻掺杂LDD区，所述第一器件区包括输入/输出I/O器件区，所述第二器件区包括内核器件区；所述第一伪栅结构包括在所述第一器件区上的第一伪栅电介质层、在所述第一伪栅电介质层上的第一伪栅、以及在所述第一伪栅的侧壁上的第一间隔物层；所述第二伪栅结构包括在所述第二器件区上的第二伪栅电介质层、在所述第二伪栅电介质层上的第二伪栅、以及在所述第二伪栅的侧壁上的第二间隔物层；

去除所述第一伪栅；

对所述第一间隔物层进行回刻，以减小所述第一间隔物层的厚度，所述回刻使得所述第一间隔物层的底部的厚度减小；

去除露出的第一伪栅电介质层，以形成第一沟槽；以及

去除所述第二伪栅和露出的第二伪栅电介质层，以形成第二沟槽。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括：

沉积栅极电介质层，以覆盖所述第一沟槽的底部和侧壁以及所述第二沟槽的底部和侧壁；以及

在所述栅极电介质层上沉积栅极材料。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，在沉积栅极电介质层之前，还包括：

在所述第一沟槽的底部和所述第二沟槽的底部形成界面层。

4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，在沉积栅极电介质层之前，还包括：

在所述第一沟槽的底部形成栅极氧化物层。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

所述第一器件区包括第一半导体区和在所述第一半导体区上的第一半导体鳍片；

所述第二器件区包括第二半导体区和在所述第二半导体区上的第二半导体鳍片；

其中，所述第一伪栅结构横跨在所述第一半导体鳍片上，所述第二伪栅结构横跨在所述第二半导体鳍片上。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述提供衬底结构的步骤包括：

提供初始衬底；

对所述初始衬底进行刻蚀，以形成所述第一器件区和所述第二器件区；

在各半导体鳍片之间形成隔离区，所述隔离区的顶表面低于各半导体鳍片的顶表面；

在各半导体鳍片位于所述隔离区以上的部分的表面上形成伪栅电介质层；

沉积伪栅材料并对所述伪栅材料进行图案化，从而形成所述第一伪栅和所述第二伪栅；

在所述第一伪栅的侧壁上形成所述第一间隔物层，并且在所述第二伪栅的侧壁上形成所述第二间隔物层；

以所述第一间隔物层为掩模进行LDD注入，以形成所述LDD区，从而形成第一结构；

在所述第一结构之上沉积层间电介质层；以及

对所述层间电介质层进行平坦化，以露出所述第一伪栅和所述第二伪栅。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述在所述第一结构之上沉积层间电介质层包括：

在所述第一结构上沉积接触蚀刻停止层；以及

在所述接触蚀刻停止层上沉积层间电介质层。