[发明专利]3DIC结构及其形成方法在审
| 申请号： | 201611046804.0 | 申请日： | 2016-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN107134445A | 公开（公告）日： | 2017-09-05 |
| 发明（设计）人： | 吴国铭;林永隆;王志扬;陈升照;周正贤 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/528 | 分类号： | H01L23/528;H01L23/50;H01L21/50 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司11287 | 代理人： | 路勇 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | dic 结构 及其 形成 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种结构，其包括：
第一电介质层，其上覆在第一衬底上；
第一连接垫，其放置在所述第一电介质层的顶部表面中且接触放置在所述第一电介质层中的第一导体，所述导体的主要表面在平行于所述第一电介质层的所述顶部表面的方向上延伸；
第一虚拟垫，其放置在所述第一电介质层的所述顶部表面中，所述第一虚拟垫接触所述第一导体；
第二电介质层，其上覆在第二衬底上；及
第二连接垫及第二虚拟垫，其放置在所述第二电介质层的顶部表面中，所述第二连接垫接合到所述第一连接垫，且所述第一虚拟垫以与所述第二虚拟垫偏离的方式定位，使得所述第一虚拟垫与所述第二虚拟垫彼此不接触。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201611046804.0/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：多功能自动旋转锅
- 下一篇：一种便携式可伸缩编烟支架
