[发明专利]一种电阻子电路噪声模型结构及其建模方法有效
| 申请号： | 201611048937.1 | 申请日： | 2016-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN106777523B | 公开（公告）日： | 2020-08-25 |
| 发明（设计）人： | 彭兴伟;王伟 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | G06F30/327 | 分类号： | G06F30/327 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;陈慧弘 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 电阻 电路 噪声 模型 结构 及其 建模 方法 | ||
1.一种电阻子电路噪声模型结构，其特征在于，包括电阻子电路和并联到所述电阻子电路的两端的噪声源，用于将电阻子电路的噪声特性加入到电阻子电路模型中；其中，所述电阻子电路是根据电阻器件模型建模时所需要满足的电阻精度要求形成；所述噪声源噪声值的大小和所述电阻子电路的长宽和流经所述电阻子电路的电流与所述电阻子电路两端所加的电压频率相关，其中，所述噪声源噪声的大小的公式如下：
其中，kf，af，lf，wf，ef是可以根据所述噪声源噪声值的大小进行调整的参数，weff是所述电阻子电路的有效宽度，leff是电阻的有效长度，i(r1)是流经所述电阻子电路的电流，hertz为所述电阻子电路上的两端所加的电压频率值，abs表示绝对值。
2.一种权利要求1中所述电阻子电路噪声模型结构的建模方法，其特征在于，包括：
步骤S1：根据电阻器件模型建模时所需要满足的电阻精度要求，将所述电阻器件模型转换成电阻子电路的形式；
步骤S2：将电阻子电路的噪声特性加入到电阻子电路模型中；即将所述电阻子电路的两端并一个噪声源；其中，所述噪声源噪声值的大小和所述电阻子电路的长宽和流经所述电阻子电路的电流与所述电阻子电路两端所加的电压频率相关；所述噪声源噪声的大小的公式如下：
其中，kf，af，lf，wf，ef是可以根据所述噪声源噪声值的大小进行调整的参数，weff是所述电阻子电路的有效宽度，leff是电阻的有效长度，i(r1)是流经所述电阻子电路的电流，hertz为所述电阻子电路上的两端所加的电压频率值，abs表示绝对值；
步骤S3：将具有预定电压频率值的电压加载到所述电阻子电路上的两端进行仿真运算。
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