[发明专利]一种电阻子电路噪声模型结构及其建模方法

说明书

一种电阻子电路噪声模型结构及其建模方法，其包括电阻子电路和并联到所述电阻子电路的两端的噪声源，用于将电阻子电路的噪声特性加入到电阻子电路模型中；其中，电阻子电路是根据电阻器件模型建模时所需要满足的电阻精度要求形成；噪声源噪声值的大小和电阻子电路的长宽和流经电阻子电路的电流与所述电阻子电路两端所加的电压频率相关。因此，本发明是将在电阻子电路中加入精确的电阻噪声模型，使电阻电子模型更加完善，使噪声拟合的很好，且使电阻电子模型的仿真结果更接近实际测量数据，从而提高了电阻子电路模型的仿真结果的可信度。

技术领域

本发明涉及集成电路设计领域，尤其涉及一种优化的电阻子电路噪声模型结构及其建模方法。

背景技术

以硅基器件为代表的半导体器件在电子信息技术及产业中的应用使社会进入到了信息化和网络化的时代。半导体器件的持续改进、完善以及不断涌现的新器件促使电子工业加速发展，但激烈的竞争也让半导体行业倍感压力。由于技术更新快，设备和原材料的投入相当巨大，时间是成本的一大组成，如何更早地将产品推向市场，是决定生存和发展的关键。

为了缩短开发周期，半导体器件的设计需要一种快速而有效的设计工具，采用半导体器件计算机仿真方法，在参数提取、互连建模、模拟、数字和射频电路设计等半导体仿真设计领域获得了广泛应用。

MOSFET是超大规模集成电路芯片(CPU和RAM等)中的主要器件，电阻子电路是CPU和RAM等中的重要部件。

然而，在目前的半导体器件计算机仿真过程中，即在电阻器件模型建模时，为了满足精度的需要，电阻器件模型会完全写成电子子电路的形式，该子电路的形式不会再调用原来的电阻固定(compact)模型，原来的电阻固定模型具有的噪声特性也随之去掉，导致电阻子电路模型没有噪声特性，电路设计者无法对电阻的噪声特性进行仿真。

以40纳米P型SAB多晶硅电阻模型为例，请参阅图1，图1为现有技术中采用的电阻子电路模型(没有调用原来的电阻固定模型)后，即没有噪声特性的仿真结果示意图；其中，折线为不同电流下噪声对频率的测量数据，直线为相应仿真值。如图所示，该模型常用的电阻子电路模型，在加电压进行仿真模拟后，虽然直流特性准确，但是没有电阻噪声特性，造成频率特性与设计数据不符，不能模拟噪声数据；这使电阻子电路模型的仿真结果的可信性大打折扣。

发明内容

为了克服以上问题，本发明旨在提供一种改进的电阻子电路噪声模型结构及其建模方法，其目的是把电阻的噪声特性加入到电阻子电路模型中，使其具备噪声特性，满足电路设计者对电阻进行噪声仿真的需要。

为实现上述目的，本发明的技术方案如下：

一种电阻子电路噪声模型结构，其包括电阻子电路和并联到所述电阻子电路的两端的噪声源，用于将电阻子电路的噪声特性加入到电阻子电路模型中；其中，所述电阻子电路是根据电阻器件模型建模时所需要满足的电阻精度要求形成；所述噪声源噪声值的大小和所述电阻子电路的长宽和流经所述电阻子电路的电流与所述电阻子电路两端所加的电压频率相关。

所述噪声源噪声的大小的公式如下：

其中，kf，af，lf，wf，ef是可以根据所述噪声源噪声值的大小进行调整的参数，weff是所述电阻子电路的有效宽度，leff是电阻的有效长度，i(r1)是流经所述电阻子电路的电流，hertz为所述电阻子电路上的两端所加的电压频率值。

为实现上述目的，本发明还提供另一种技术方案如下：

一种电阻子电路噪声模型结构的建模方法，其包括：

步骤S1：根据电阻器件模型建模时所需要满足的电阻精度要求，将所述电阻器件模型转换成电阻子电路的形式；