[发明专利]一种沟槽肖特基势垒二极管芯片在审
| 申请号： | 201611049905.3 | 申请日： | 2016-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN107293574A | 公开（公告）日： | 2017-10-24 |
| 发明（设计）人： | 马文力;姚伟明;杨勇 | 申请（专利权）人： | 扬州国宇电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/872 |
| 代理公司： | 苏州润桐嘉业知识产权代理有限公司32261 | 代理人： | 胡思棉 |
| 地址： | 225101 江苏省扬*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 沟槽 肖特基势垒二极管 芯片 | ||
【权利要求书】：
1.一种沟槽肖特基势垒二极管芯片，其包括N型重掺杂衬底，及在其上生长的一层N型轻掺杂外延层，在所述N型轻掺杂外延层内设有沟槽，在所述沟槽表面设有氧化层，在所述沟槽内的空腔中填充有多晶硅，在所述N型轻掺杂外延层上表面设有肖特基势垒层，在所述肖特基势垒层以及所述多晶硅上表面设有正面金属，在所述N型重掺杂衬底下表面设有背面金属，其特征在于所述沟槽包括沟槽开口、沟槽本体和沟槽底部，所述沟槽开口处宽度大于所述沟槽本体宽度，在所述沟槽本体及沟槽底部内设置有所述多晶硅，在所述沟槽开口处设置有所述正面金属。
2.根据权利要求1所述的沟槽肖特基势垒二极管芯片，其特征在于所述沟槽开口处呈喇叭形或圆弧形。
3.根据权利要求1所述的沟槽肖特基势垒二极管芯片，其特征在于所述沟槽开口处宽度比沟槽槽体宽度宽400~4000Å。
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