[发明专利]一种存储单元的编程方法及装置在审
申请号: | 201611051344.0 | 申请日: | 2016-11-24 |
公开(公告)号: | CN108109646A | 公开(公告)日: | 2018-06-01 |
发明(设计)人: | 胡洪;张建军;张赛 | 申请(专利权)人: | 北京兆易创新科技股份有限公司 |
主分类号: | G11C7/04 | 分类号: | G11C7/04;G11C16/10 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 孟金喆;胡彬 |
地址: | 100083 北京市海淀*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 存储单元 编程 存储器芯片 编程电压 编程指令 温度确定 施加 编程性能 技术手段 | ||
1.一种存储单元的编程方法,其特征在于,包括:
接收编程指令;
根据存储器芯片的当前温度确定当前编程电压;
向所述存储器芯片的存储单元施加所述当前编程电压。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述根据存储器芯片的当前温度确定当前编程电压之前,还包括:
通过温度传感器检测所述存储器芯片的当前温度。
3.根据权利要求1或2所述的方法,其特征在于,所述根据存储器芯片的当前温度确定当前编程电压,包括:
若所述存储器芯片的当前温度高于高温预设值,以默认编程电压为基准增大编程电压,将增大后的编程电压确定为所述当前编程电压;
若所述存储器芯片的当前温度低于低温预设值,以默认编程电压为基准减小编程电压,将减小后的编程电压确定为所述当前编程电压。
4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,所述根据存储器芯片的当前温度确定当前编程电压,还包括:
若所述存储器芯片的当前温度既不低于所述低温预设值,也不高于所述高温预设值,则将所述默认编程电压确定为所述当前编程电压。
5.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,所述向所述存储器芯片的存储单元施加所述当前编程电压,包括:
向所述存储单元的栅极以及漏极分别施加相应的所述当前编程电压。
6.一种存储单元的编程装置,其特征在于,包括:
接收模块,用于接收编程指令;
确定模块,用于根据存储器芯片的当前温度确定当前编程电压;
施加模块,用于向所述存储器芯片的存储单元施加所述当前编程电压。
7.根据权利要求6所述的装置,其特征在于,还包括:
检测模块,用于在所述根据存储器芯片的当前温度确定当前编程电压之前,通过温度传感器检测所述存储器芯片的当前温度。
8.根据权利要求6或7所述的装置,其特征在于,所述确定模块,包括:
增大单元,用于若所述存储器芯片的当前温度高于高温预设值,以默认编程电压为基准增大编程电压;
第一确定单元,用于将增大后的编程电压确定为所述当前编程电压;
减小单元,用于若所述存储器芯片的当前温度低于低温预设值,以默认编程电压为基准减小编程电压;
第二确定单元,用于将减小后的编程电压确定为所述当前编程电压。
9.根据权利要求8所述的装置,其特征在于,所述确定模块,还包括:
第三确定单元,用于若所述存储器芯片的当前温度既不低于所述低温预设值,也不高于所述高温预设值,则将所述默认编程电压确定为所述当前编程电压。
10.根据权利要求9所述的装置,其特征在于,所述施加模块具体用于:
向所述存储单元的栅极以及漏极分别施加相应的所述当前编程电压。
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