[发明专利]一种存储单元的编程方法及装置

说明书

本发明公开了一种存储单元的编程方法及装置，所述方法包括接收编程指令；根据存储器芯片的当前温度确定当前编程电压；向所述存储器芯片的存储单元施加所述当前编程电压。本发明实施例提供的一种存储单元的编程方法，通过接收编程指令后，根据存储器芯片的当前温度确定当前编程电压；并向所述存储器芯片的存储单元施加所述当前编程电压的技术手段，改善了高温下编程速度变慢的问题，同时改善了低温下编程速度过快导致的编程过强的问题，提高了编程性能。

技术领域

本发明实施例涉及存储技术领域，具体涉及一种存储单元的编程方法及装置。

背景技术

非易失闪存介质(nor flash/nand flash)是一种很常见的存储芯片，兼有随机存储器(Random Access Memory，RAM)和只读存储器(Read-Only Memory，ROM)的优点，数据掉电不会丢失，是一种可在系统进行电擦写的存储器，同时它的高集成度和低成本使它成为市场主流。

在Flash芯片中，一个存储单元可看作为一个金属氧化物半导体场效晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,MOSFET)。图1是一种常见的MOSFET结构图，包括栅极20、源极21、漏极22、P型阱23、N型阱25、P型硅半导体衬底26以及隧穿氧化层24，其相互间的连接为：P型硅半导体衬底26扩散出两个N型区，P型阱23上方覆盖一层隧穿氧化层24，最后在N型区上方通过腐蚀的方法做成两个孔，通过金属化的方法分别在绝缘层上及两个孔内做成三个电极：栅极20、源极21和漏极22，源极21和漏极22分别对应两个N型区且栅极20为存储单元的字线，漏极22为存储单元的位线。进一步的，栅极20又包括控制栅极201、多晶硅层间电介质202(Inter-Poly Dielectric,IPD)、浮动栅极203，且浮动栅极203可以存储电荷。当对一个存储单元进行编程操作时，分别给栅极20以及漏极22施加相应的编程电压，此时，会有电流从漏极22流向源极21，电子从源极21流向漏极22的途中，会有一部分流向浮动栅极203，当浮动栅极203中的电子达到一定数量时，此存储单元就被编程成功，即此存储单元被成功写0。

但是，由于高温环境下构成存储单元的物质中的晶格震动加剧，势垒增强以及电子迁移率变弱，导致电子跃迁到浮动栅极203变得更困难，如果施加与常温下相同的编程电压，编程速度会很慢，编程占用的时间会变长，甚至有可能会导致编程失败，影响编程性能。而低温环境下势垒减弱以及电子迁移率变强，有利于电子流向浮动栅极203，如果施加与常温下相同的编程电压，编程速度会较快，相同编程时间下，容易导致编程过强，对于编程很强的存储单元进行擦除时，擦除会变的更慢，进而影响擦除性能。

发明内容

本发明提供一种存储单元的编程方法及装置，以改善高温下编程速度变慢的问题，提高编程性能。

第一方面，本发明实施例提供了一种存储单元的编程方法，该方法包括：

接收编程指令；

根据存储器芯片的当前温度确定当前编程电压；

向所述存储器芯片的存储单元施加所述当前编程电压。

进一步地，所述根据存储器芯片的当前温度确定当前编程电压之前，还包括：

通过温度传感器检测所述存储器芯片的当前温度。

进一步地，所述根据存储器芯片的当前温度确定当前编程电压，包括：

若所述存储器芯片的当前温度高于高温预设值，以默认编程电压为基准增大编程电压将增大后的编程电压确定为所述当前编程电压；

若所述存储器芯片的当前温度低于低温预设值，以默认编程电压为基准减小编程电压，将减小后的编程电压确定为所述当前编程电压。

进一步地，所述根据存储器芯片的当前温度确定当前编程电压，还包括：