[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

半导体衬底；

多个半导体鳍，存在于所述半导体衬底上，所述半导体鳍分别包括位于所述半导体鳍中的凹槽；

至少一个栅极堆叠件，存在于所述半导体鳍的邻近所述凹槽的部分上；以及

至少一个外延结构，横跨所述半导体鳍的所述凹槽存在，其中，所述外延结构包括多个角和存在于所述角之间的至少一个槽，以及所述槽具有比所述角的至少一个角的曲率半径大的曲率半径，所述外延结构还包括分别存在于所述半导体鳍上的多个外延层和至少存在于所述外延层之间的至少一个覆盖层，其中，所述槽至少存在于所述覆盖层上，所述外延层具有未被所述覆盖层覆盖的顶面。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述槽在所述半导体衬底的表面上的投影至少部分地存在于所述半导体鳍之间，所述半导体鳍存在于所述半导体衬底上。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：

至少一个接触件，存在于所述槽上。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：

至少一个接触件，具有与所述外延结构接触的底面，其中，所述接触件的所述底面具有比所述角的至少一个角的所述曲率半径大的曲率半径。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：

至少一个接触件，具有与所述外延结构接触的底面，其中，所述接触件的所述底面具有大于0.5nm的曲率半径。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述槽的所述曲率半径大于0.5nm。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述角的至少一个角的所述曲率半径小于0.5nm。

8.一种半导体器件，包括：

半导体衬底；

多个半导体鳍，存在于所述半导体衬底上，所述半导体鳍分别包括位于所述半导体鳍中的凹槽；

至少一个栅极堆叠件，存在于所述半导体鳍的邻近所述凹槽的部分上；以及

至少一个外延结构，横跨所述半导体鳍的所述凹槽存在，其中，所述外延结构包括位于所述外延结构中的至少一个槽，并且所述外延结构的所述槽具有大于0.5nm的曲率半径，所述外延结构还包括分别存在于所述半导体鳍上的多个外延层和至少存在于所述外延层之间的至少一个覆盖层，其中，所述槽至少存在于所述覆盖层上，所述外延层具有未被所述覆盖层覆盖的顶面。

9.根据权利要求8所述的半导体器件，其中，所述外延结构还包括邻近所述槽的至少一个角，并且所述槽具有比所述角更靠近所述衬底的底部。

10.根据权利要求9所述的半导体器件，其中，所述角具有比所述槽的所述曲率半径小的曲率半径。

11.根据权利要求9所述的半导体器件，其中，所述槽的所述底部和所述角由不同的材料制成。

12.根据权利要求8所述的半导体器件，还包括：

至少一个接触件，具有与所述外延结构接触的底面，其中，所述接触件的所述底面具有与所述槽的所述曲率半径相同的曲率半径。

13.根据权利要求8所述的半导体器件，还包括：

至少一个接触件，具有与所述外延结构接触的底面，其中，所述接触件的所述底面具有大于0.5nm的曲率半径。