[发明专利]高通量快速筛选阳性杂交瘤细胞的方法及系统

权利要求书

1.一种高通量快速筛选阳性杂交瘤细胞的方法，其特征在于包括：

提供三维细胞培养芯片，所述芯片包括选定基底以及形成于所述选定基底表面的图纹结构，所述图纹结构包括由复数个图案形成的阵列，所述图案由至少能够促使单细胞附着的修饰剂形成；

在所述三维细胞培养芯片表面施加细胞悬浮液，再置于细胞培养环境中进行细胞培养以使所述的各图案捕获单细胞，之后去除多余的细胞，获得单细胞阵列；

将基质胶施加到所述三维细胞培养芯片的表面，并至少将所述选定基底表面的图纹结构完全覆盖，其后置入细胞培养环境中孵育至所述基质胶充分固化；

以细胞培养完全培养基覆盖所述固化的基质胶，并在细胞培养环境中持续培养，之后甄别和挑取阳性杂交瘤细胞并进行后续处理。

2.根据权利要求1所述的高通量快速筛选阳性杂交瘤细胞的方法，其特征在于：所述基质胶还包含能与所述阳性杂交瘤细胞分泌的抗体特异性结合的抗原；优选的，所述抗原上还修饰有用于指示有无所述阳性杂交瘤细胞分泌的抗体与所述抗原特异性结合的标记性物质；优选的，所述标记性物质包括荧光探针。

3.根据权利要求1所述的高通量快速筛选阳性杂交瘤细胞的方法，其特征在于，所述三维细胞培养芯片的制备方法包括：

采用软光刻技术制作具有设定图案结构的掩模；

以液态高分子化合物或高分子化合物溶液均匀覆盖所述掩模，并形成具有设定厚度的液层；

使所述液层固化，之后移除掩模，获得印章，所述印章的印面具有设定立体结构；

以所述印章的印面与修饰剂接触，使所述修饰剂以可脱离方式附着在所述印面上；

以所述印面与选定基底表面接触，之后将所述印章从选定基底上移离，从而使至少部分修饰剂脱离所述印面而附着在所述选定基底表面并形成所述图纹结构，获得所述三维细胞培养芯片。

4.根据权利要求3所述的高通量快速筛选阳性杂交瘤细胞的方法，其特征在于，所述三维细胞培养芯片的制备方法具体包括：在基片上涂覆一层光刻胶，之后烘烤、曝光，并再次烘烤，其后显影，制得所述掩模；和/或，所述掩模的厚度为7～15μm。

5.根据权利要求3所述的高通量快速筛选阳性杂交瘤细胞的方法，其特征在于：所述印章印面的设定立体结构由一个以上凸设于所述印章印面的突出部和/或一个以上凹设于所述所述印章印面的下凹部组成。

6.根据权利要求3所述的高通量快速筛选阳性杂交瘤细胞的方法，其特征在于，所述三维细胞培养芯片的制备方法包括：至少将所述印章的印面完全浸渍于液态的修饰剂或修饰剂溶液中，之后取出，使所述修饰剂以可脱离方式附着在所述印面上；优选的，所述三维细胞培养芯片的制备方法包括：在室温条件下，将所述印章的印面完全浸渍于液态的修饰剂或修饰剂溶液中，保持10min以上，之后取出，洗涤、干燥，使所述修饰剂以可脱离方式附着在所述印面上。

7.根据权利要求3所述的高通量快速筛选阳性杂交瘤细胞的方法，其特征在于：所述高分子化合物包括能够热固化和/或光固化的高分子化合物；优选的，所述高分子化合物包括高分子有机硅化合物；优选的，所述高分子化合物包括聚二甲基硅氧烷。

8.根据权利要求1所述的高通量快速筛选阳性杂交瘤细胞的方法，其特征在于：所述图纹结构中，任一图案的面积由所需的吸附细胞面积决定，而任意两个相邻图案的距离由所需的相邻细胞的间距决定；优选的，相邻图案之间的间距在30μm以上，尤其优选为30μm～100μm；优选的，所述图案用以吸附细胞的面积为5μm×5μm～15μm×15μm；和/或，所述图纹结构的厚度为7～15μm；和/或，所述选定基底表面上除所述图纹结构所在区域之外的其它区域具有排斥细胞的特性。