[发明专利]一种无表面配体的银多面体微纳米晶体的制备方法有效
| 申请号： | 201611056420.7 | 申请日： | 2016-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN106757173B | 公开（公告）日： | 2019-02-22 |
| 发明（设计）人： | 吕维强;石星逸;牛英华 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | C25C5/02 | 分类号： | C25C5/02;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 成都宏顺专利代理事务所(普通合伙) 51227 | 代理人： | 周永宏;王伟 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 多面体 微纳米 制备 表面配体 电沉积 晶体的 基底 清洗 有机配体分子 多面体表面 尺寸可控 高度规则 晶体形貌 去离子水 银盐溶液 有机配体 制备工艺 制备过程 电解液 取出 制作 应用 | ||
【权利要求书】：
1.一种无表面配体的银多面体微纳米晶体的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：
S1、制备银多面体微纳米晶体：以包含有Ag+浓度为0.01～500mM的银盐溶液为电解液，在-1V～0.7Vvs.SHE电压范围的任意区间、p H值0～8的条件下，进行电沉积至在基底上生成设定尺寸的具有高度规则结构的银多面体微纳米晶体；
采用恒电压法或在设定电压范围内采用脉冲电位技术进行电沉积；
所述在设定电压范围内采用脉冲技术进行电沉积，脉冲电位振幅为0～500mV，频率为0～100Hz；
S2、清洗和干燥：电沉积完成后，取出基底，使用去离子水清洗后真空干燥即可。
2.根据权利要求1所述的无表面配体银多面体微纳米晶体的制备方法，其特征在于：所获得的银多面体微纳米晶体表面无任何有机配体吸附。
3.根据权利要求1所述的无表面配体银多面体微纳米晶体的制备方法，其特征在于：电沉积的沉积时间为10s～24h。
4.根据权利要求1所述的无表面配体银多面体微纳米晶体的制备方法，其特征在于：所述银多面体微纳米晶体尺寸为10nm～100μm。
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