[发明专利]晶片的加工方法和加工装置有效

专利信息
申请号: 201611059362.3 申请日: 2016-11-25
公开(公告)号: CN106881535B 公开(公告)日: 2020-06-30
发明(设计)人: 能丸圭司 申请(专利权)人: 株式会社迪思科
主分类号: H01L21/768 分类号: H01L21/768;B23K26/382;B23K26/046;B23K26/70
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 李辉;于靖帅
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 晶片 加工 方法 装置
【说明书】:

本发明的课题在于提供晶片的加工方法和加工装置,能够维持所限制的脉冲激光光线的最大重复频率,并且在多个部位同时地形成通孔。根据本发明,该晶片的加工方法具有如下的步骤:椭圆轨道生成步骤,将4个器件作为一个群组而生成通过各器件中的配设于相同位置的4个电极垫的包含圆在内的椭圆轨道;激光光线照射步骤,一边描绘该椭圆轨道一边从晶片的背面向与该4个电极垫对应的位置照射脉冲激光光线;以及椭圆轨道定位步骤,对该椭圆轨道进行定位以使该椭圆轨道通过与接下来应该加工的4个电极垫对应的位置,一边对该晶片与脉冲激光光线照射单元相对地加工进给一边依次实施该激光光线照射步骤和该椭圆轨道定位步骤而实施通孔加工。

技术领域

本发明涉及晶片的加工方法和加工装置,与配设于半导体晶片等被加工物上的器件的电极垫对应地形成激光加工孔。

背景技术

在半导体器件制造工序中,在作为大致圆板形状的半导体晶片的正面上由呈格子状排列的被称为间隔道的分割预定线而划分出多个区域,在该划分出的区域中形成IC、LSI等器件。并且,通过沿着间隔道对半导体晶片进行切断而对形成有器件的区域进行分割从而制造出一个个的半导体芯片。

为了实现装置的小型化、高功能化,提出了如下的模块构造:对多个器件进行层叠,并将设置于所层叠的器件上的电极垫(也称为焊盘)连接。该模块构造采用如下的结构(例如参照专利文献1。):对半导体晶片中的设置有电极垫的部位照射激光光线而形成达到该电极垫的通孔(激光加工孔),在该通孔(激光加工孔)中埋入与电极垫连接的铝等导电性材料。

专利文献1:日本特开2008-062261号公报

为了形成上述通孔,必须向一个部位多次照射脉冲激光光线,为了实现生产效率的提高,需要提高脉冲激光光线的重复频率。但是,存在如下的问题:当以较高的重复频率向一个部位连续地照射脉冲激光光线时,因热积存而在晶片上产生裂纹,器件的品质降低。

发明内容

并且,还存在如下的情况:虽然根据要制造的器件而不同,但为了不会因通孔加工而产生裂纹而对用于加工的脉冲激光光线的重复频率进行限制(例如,为10kHz)。因此,本发明要解决的技术性课题在于,提供晶片的加工方法和加工装置,既维持受限制的脉冲激光光线的最大重复频率,也能够在多个部位同时地形成通孔。

为了解决上述主要的技术性课题,根据本发明,提供一种晶片的加工方法,多个器件由分割预定线划分而形成于该晶片的正面上,其中,该晶片的加工方法具有如下的步骤:位置信息存储步骤,与各器件在该晶片中的位置信息一同,对各器件上所形成的多个电极垫在各器件中的位置信息进行存储;椭圆轨道生成步骤,将彼此两两相邻的4个器件作为一个群组而生成通过各器件中的配设于相同位置的4个电极垫的包含圆在内的椭圆轨道;激光光线照射步骤,一边描绘该椭圆轨道一边利用脉冲激光光线照射单元对与该4个电极垫对应的位置照射脉冲激光光线;以及椭圆轨道定位步骤,对该椭圆轨道进行定位以使该椭圆轨道通过与接下来应该加工的4个电极垫对应的位置,在该晶片的加工方法中,一边对该晶片与脉冲激光光线照射单元相对地进行加工进给,一边依次实施该激光光线照射步骤和该椭圆轨道定位步骤而对该晶片实施通孔加工,该通孔加工用于形成与该电极垫对应的通孔。

优选在该激光光线照射步骤中,在该椭圆轨道被定位成通过该4个电极垫的状态下实施将多个脉冲激光光线照射到与该4个电极垫对应的位置的通孔加工。

能够通过对构成一个群组的该4个器件执行该激光光线照射步骤,在激光光线的照射为第1次的2个器件中局部性地实施通孔加工,在已经局部性地执行了通孔加工而激光光线的照射为第2次的另外的2个器件中对剩余的未加工的部分实施通孔加工,由此完成对于该另外的2个器件的所有的电极垫的通孔加工,将通过实施该激光光线照射步骤而与所有的电极垫对应地完成了通孔加工的2个器件从该群组中分离,由局部性地进行了通孔加工的2个器件和在加工进给方向上相邻的未加工的2个器件结成新的群组,将该椭圆轨道定位于新的群组所包含的4个器件,而依次实施该激光光线照射步骤和该椭圆轨道定位步骤。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社迪思科,未经株式会社迪思科许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201611059362.3/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top