[发明专利]薄膜晶体管及其制作方法

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管包括：第二绝缘层(26)以及第三绝缘层(27)，所述第二绝缘层(26)位于第一电极(251)、第二电极(252)以及第一绝缘层(24)的上方，所述第一绝缘层(24)用于分隔低温多晶硅薄膜晶体管(2a)中的第一电极(251)和多晶硅沟道(23)，所述第三绝缘层(27)位于所述第二绝缘层(26)、第四电极(254)、所述第一绝缘层(24)以及第三电极(253)的上方，其中：

所述第二绝缘层(26)用于分隔作为电容器(2b)两个电极的第二电极(252)和第四电极(254)；

所述第三绝缘层(27)用于分隔氧化物半导体薄膜晶体管(2c)中的第三电极(253)和半导体氧化物沟道(28)；

在所述第一绝缘层(24)上沉积金属层，对所述金属层进行图案化处理生成至少三个电极，所述电极包括所述第一电极(251)、所述第三电极(253)以及与所述第一电极(251)相邻的所述第二电极(252)。

2.如权利要求1所述薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管还包括：

设置在所述第二绝缘层(26)和所述第三绝缘层(27)之间，并且位于所述第四电极(254)上方的第四绝缘层(213)。

3.如权利要求2所述薄膜晶体管，其特征在于，

所述第一绝缘层(24)具体为：利用氧化硅制作的第一氧化硅绝缘层；

所述第二绝缘层(26)具体为：利用氮化硅制作的第二氮化硅绝缘层；

所述第三绝缘层(27)具体为：利用氧化硅制作的第三氧化硅绝缘层；

所述第四绝缘层(213)具体为：利用氮化硅制作的第四氮化硅绝缘层。

4.如权利要求1所述薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管还包括：

位于所述第三绝缘层(27)以及所述半导体氧化物沟道(28)上方的刻蚀阻挡层(29)。

5.如权利要求1所述薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管还包括：

位于所述第一绝缘层(24)以及多晶硅沟道(23)下方的缓冲层(22)；以及，

位于所述缓冲层(22)下方的基板(21)。

6.一种薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，包括：

在第一绝缘层(24)、第一电极(251)、第三电极(253)以及与所述第一电极(251)相邻的第二电极(252)上沉积待刻蚀绝缘层(91)，所述第一绝缘层(24)用于分隔低温多晶硅薄膜晶体管(2a)中的所述第一电极(251)以及多晶硅沟道(23)；

在所述待刻蚀绝缘层(91)上涂覆光刻胶层(92)，并在所述光刻胶层(92)上方与所述第一电极(251)和第二电极(252)对应的位置增加隔光板(93)；

在所述隔光板(93)隔光下对所述光刻胶层(92)进行曝光，并经过显影和成膜，使得在所述光刻胶层(92)中与第三电极(253)对应的位置形成缺口；

以形成缺口之后的光刻胶层(92)作为掩膜，对所述待刻蚀绝缘层(91)进行刻蚀，形成第二绝缘层(26)；

在移除所述光刻胶层之后，在所述第二绝缘层(26)上方与所述第二电极(252)相对应的位置形成第四电极(254)，使得所述第二绝缘层(26)分隔所述第二电极(252)和所述第四电极(254)；

在所述第二绝缘层(26)、所述第四电极(254)、所述第一绝缘层(24)以及所述第三电极(253)上方沉积第三绝缘层(27)；

在所述第三绝缘层(27)上方与所述第三电极(253)相对应的位置形成半导体氧化物沟道(28)，使得所述第三绝缘层(27)分隔所述第三电极(253)和所述半导体氧化物沟道(28)。

7.如权利要求6所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，

在第一绝缘层(24)、第一电极(251)、第三电极(253)以及与所述第一电极(251)相邻的第二电极(252)上沉积待刻蚀绝缘层(91)，具体包括：

在第一绝缘层(24)、第一电极(251)、第三电极(253)以及与所述第一电极(251)相邻的第二电极(252)上通过沉积氮化硅，以形成待刻蚀绝缘层(91)。