[发明专利]薄膜晶体管及其制作方法

说明书

本申请公开了一种薄膜晶体管及其制作方法。该薄膜晶体管包括：第二绝缘层以及第三绝缘层，第二绝缘层位于第一电极、第二电极以及第一绝缘层的上方，第三绝缘层位于第二绝缘层、第四电极、第一绝缘层以及第三电极的上方，其中：第二绝缘层用于分隔作为电容器两个电极的第二电极和第四电极；第三绝缘层用于分隔氧化物半导体薄膜晶体管中的第三电极和半导体氧化物沟道。在该薄膜晶体管中由于通过第二绝缘层来分隔电容器的两个电极，并通过第三绝缘层来分隔氧化物半导体薄膜晶体管中的栅极和半导体氧化物沟道，因此可以通过分别控制第二绝缘层和第三绝缘层的厚度，来满足电容器和氧化物半导体薄膜晶体管对厚度调节的需要。

技术领域

本申请涉及晶体管技术领域，尤其涉及一种薄膜晶体管及其制作方法。

背景技术

在日常生活中，人们通常会接触到用于向用户展示信息的显示器，这些显示器可以包括液晶显示器、有机发光二极管显示器等。显示器中通常会包括薄膜晶体管(ThinFilm Transistor，TFT)，并且在该显示器中，薄膜晶体管能够作为像素的驱动开关控制所施加的显示信号，因此薄膜晶体管在显示器中具有重要作用。

随着显示器分辨率的增大以及器件所需的驱动电流的减小，单一的低温多晶硅薄膜晶体管或者氧化物半导体薄膜晶体管已经不能满足实际需要。因此，利用低温多晶硅和氧化物半导体相结合的技术，制作由低温多晶硅薄膜晶体管、氧化物半导体薄膜晶体管以及电容器组成的混合薄膜晶体管越来越受到业内的关注。如图1所示为实际应用中常见的混合薄膜晶体管的横截面图，该混合薄膜晶体管由低温多晶硅薄膜晶体管11、电容器12以及氧化物半导体薄膜晶体管13三部分构成，并且在该图1中，低温多晶硅薄膜晶体管11采用的是“顶栅”设计(在该低温多晶硅薄膜晶体管11中，电极112设置在有源层113的顶部，电极112和有源层113之间通过对应的绝缘层111隔开)，氧化物半导体薄膜晶体管13采用的是“底栅”设计(在该氧化物半导体薄膜晶体管13中，电极132设置在有源层133的底部，电极132和有源层133之间通过对应的绝缘层131隔开)。

在混合薄膜晶体管的制作过程中，通常采用逐层制作的方式。以图1中的混合薄膜晶体管的制作为例，首先在基板101上形成缓冲层102，然后在缓冲层102上形成多晶硅沟道(n+)和有源层113，然后形成绝缘层111，并在形成绝缘层111之后，在绝缘层111之上分别形成电极112、电极122和电极132，然后形成绝缘层131，并在之后依次形成混合薄膜晶体管的其他部分，最终完成混合薄膜晶体管的制作。

然而，现有技术的这种混合薄膜晶体管的制作方法，在形成诸如图1中的绝缘层131时，所形成的绝缘层131的厚度，在混合薄膜晶体管的氧化物半导体薄膜晶体管13以及电容器12中基本相同，但是由于这两个部分各自性质的不同，对绝缘层131的厚度的要求并不相同，从而影响所制作的薄膜晶体管的整体性能。

发明内容

本申请实施例提供了一种薄膜晶体管及其制作方法，能够用于解决现有技术中的问题。

本申请实施例提供了一种薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括：第二绝缘层以及第三绝缘层，所述第二绝缘层位于第一电极、第二电极以及第一绝缘层的上方，所述第一绝缘层用于分隔低温多晶硅薄膜晶体管中的第一电极和多晶硅沟道，所述第三绝缘层位于所述第二绝缘层、第四电极、所述第一绝缘层以及第三电极的上方，其中：

所述第二绝缘层用于分隔作为电容器两个电极的第二电极和第四电极；

所述第三绝缘层用于分隔氧化物半导体薄膜晶体管中的第三电极和半导体氧化物沟道。

优选的，所述薄膜晶体管还包括：

设置在所述第二绝缘层和所述第三绝缘层之间，并且位于所述第四电极上方的第四绝缘层。

优选的，所述第一绝缘层具体为：利用氧化硅制作的第一氧化硅绝缘层；

所述第二绝缘层具体为：利用氮化硅制作的第二氮化硅绝缘层；