[发明专利]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

从基板突出的第一有源图案和第二有源图案，所述第一有源图案和所述第二有源图案在第一方向上彼此间隔开；

交叉所述第一有源图案和所述第二有源图案的第一栅电极和第二栅电极，所述第一栅电极和所述第二栅电极在交叉所述第一方向的第二方向上彼此间隔开；

在所述第一栅电极的侧壁上的第一栅间隔物和在所述第二栅电极的侧壁上的第二栅间隔物；

第一源极/漏极区和第二源极/漏极区，在所述第一栅电极和所述第二栅电极之间分别在所述第一有源图案和所述第二有源图案上，所述第一源极/漏极区和所述第二源极/漏极区在所述第一方向上彼此相邻；以及

在所述第一有源图案和所述第二有源图案之间以及所述第一栅电极和所述第二栅电极之间的间隔物保护图案，所述间隔物保护图案共同连接到所述第一栅间隔物和所述第二栅间隔物并且共同接触所述第一源极/漏极区和所述第二源极/漏极区。

2.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述间隔物保护图案以及所述第一栅间隔物和所述第二栅间隔物配置为在沿所述第二方向截取的截面图中具有U形构造。

3.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述间隔物保护图案包括与所述第一栅间隔物和所述第二栅间隔物相同的材料。

4.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述间隔物保护图案接触所述第一源极/漏极区和所述第二源极/漏极区的侧壁当中彼此面对的第一侧壁。

5.如权利要求4所述的半导体器件，其中所述第一源极/漏极区和所述第二源极/漏极区的所述第一侧壁连接到彼此，使得所述第一源极/漏极区和所述第二源极/漏极区的所述第一侧壁包括被连接部分。

6.如权利要求5所述的半导体器件，还包括在所述被连接部分下方的气隙。

7.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一有源图案和所述第二有源图案的每个包括：

在所述第一栅电极和所述第二栅电极下方的第一区域；和

在所述第一栅电极和所述第二栅电极之间的第二区域，

其中相对于所述基板的顶表面，所述第二区域的顶表面低于所述第一区域的顶表面。

8.如权利要求7所述的半导体器件，还包括：

在所述基板上的器件隔离图案，所述器件隔离图案覆盖所述第一有源图案和所述第二有源图案的每个的一部分侧壁，

其中所述器件隔离图案包括：

在所述第一栅电极和所述第二栅电极下方的第三区域；

在所述第一栅电极和所述第二栅电极之间的第四区域，所述第四区域具有顶表面，所述顶表面具有相对于所述基板向下凹入形状的构造，

其中所述间隔物保护图案覆盖所述第四区域。

9.一种半导体器件，包括：

从基板突出并且平行于彼此的第一有源图案至第三有源图案，所述第一有源图案和所述第二有源图案彼此间隔开第一距离，所述第三有源图案与所述第二有源图案间隔开大于所述第一距离的第二距离；

第一栅电极和第二栅电极，交叉所述第一有源图案至第三有源图案；

分别在所述第一栅电极和所述第二栅电极的侧壁上的第一栅间隔物和第二栅间隔物；

第一源极/漏极区至第三源极/漏极区，在所述第一栅电极和所述第二栅电极的每个的侧部处分别在所述第一有源图案至所述第三有源图案上；以及

第一间隔物保护图案，在所述第一有源图案和所述第二有源图案之间延伸并且共同连接到所述第一栅间隔物和所述第二栅间隔物，所述第一间隔物保护图案包括与所述第一栅间隔物和所述第二栅间隔物相同的材料。

10.如权利要求9所述的半导体器件，其中所述第一间隔物保护图案接触所述第一源极/漏极区和所述第二源极/漏极区的侧壁当中彼此面对的第一侧壁。