[发明专利]半导体器件

说明书

半导体器件可以包括：在第一方向上彼此间隔开的成对的有源图案；在交叉第一方向的第二方向上交叉所述成对的有源图案的成对栅电极；在成对的有源图案的侧壁上的栅间隔物；在成对的栅电极之间位于成对的有源图案上的源极/漏极区；在成对的栅电极之间以及在成对的有源图案之间的间隔物保护图案。间隔物保护图案可以共同连接到栅间隔物。

技术领域

发明构思的示例实施方式涉及半导体器件。更具体而言，发明构思的示例实施方式涉及包括鳍型场效应晶体管的半导体器件。

背景技术

半导体器件可以包括包含金属氧化物半导体(MOS)场效应晶体管的集成电路。随着半导体器件已经变得更高度集成，MOS场效应晶体管的尺寸和设计规则已经越来越减小；因此，半导体器件的操作特性会变差。已经开发了用于改善半导体器件的性能的各种方法以克服由半导体器件的高集成度导致的限制。

发明内容

发明构思的示例实施方式可以提供具有改善的电特性以及可靠性的半导体器件。

根据发明构思的示例实施方式，半导体器件可以包括：从基板突出的第一有源图案和第二有源图案；第一有源图案和第二有源图案在第一方向上彼此间隔开；交叉第一有源图案和第二有源图案的第一栅电极和第二栅电极在交叉第一方向的第二方向上彼此间隔开；在第一栅电极的侧壁上的第一栅间隔物和在第二栅电极的侧壁上的第二栅间隔物；第一源极/漏极区和第二源极/漏极区，在第一栅电极和第二栅电极之间分别位于第一有源图案和第二有源图案上，第一源极/漏极区和第二源极/漏极区在第一方向上彼此相邻；在第一有源图案和第二有源图案之间以及第一栅电极和第二栅电极之间的间隔物保护图案。间隔物保护图案可以共同连接到第一间隔物和第二间隔物并且可以共同接触第一源极/漏极区和第二源极/漏极区。

根据发明构思的示例实施方式，半导体器件可以包括：从基板突出并且平行于彼此的第一至第三有源图案，第一有源图案和第二有源图案彼此间隔开第一距离，第三有源图案与第二有源图案间隔开大于第一距离的第二距离；第一栅电极和第二栅电极，交叉第一有源图案至第三有源图案；分别在第一栅电极和第二栅电极的侧壁上的第一栅间隔物和第二栅间隔物；第一源极/漏极区至第三源极/漏极区，在第一栅电极和第二栅电极的每个的侧部分别在第一有源图案至第三有源图案上；第一间隔物保护图案，在第一有源图案和第二有源图案之间延伸并且共同连接到第一栅间隔物和第二栅间隔物，第一间隔物保护图案包括与第一栅间隔物和第二栅间隔物相同的材料。

根据发明构思的示例实施方式，半导体器件包括：基板；在基板上的第一栅电极和第二栅电极；分别在第一栅电极和第二栅电极的侧壁上的第一栅间隔物和第二栅间隔物；将第一栅间隔物连接到第二栅间隔物的间隔物保护图案。

应当注意到，关于一个实施方式描述的发明构思的方面可以合并在不同实施方式中，尽管未对其具体地描述。即，任何实施方式的所有实施方式和/或特征可以通过任何方式和/或组合而结合。发明构思的这些及其他方面在以下给出的说明书中详细描述。

附图说明

通过以下结合附图的详细说明，示例实施方式将被更清楚地理解，在附图中：

图1是示出根据发明构思的示例实施方式的半导体器件的平面图；

图2A是示出沿图1的线I-I’和II-II’截取的横截面的横截面图，和图2B是示出沿图1的线III-III’和IV-IV’截取的横截面的横截面图；

图3A、3C、4A、5A和6A分别是相应于图2A的部分“A”的放大视图；

图3B、4B、5B和6B分别是相应于图2B的部分“B”的放大视图；

图7A、8A、9A、10A、11A、12A和13A是示出根据发明构思的示例实施方式的半导体器件的制造方法的横截面图并且分别相应于沿图1的线I-I’和II-II’截取的横截面图；