[发明专利]一种LED芯片及其制作方法在审
| 申请号： | 201611066825.9 | 申请日： | 2016-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN106784231A | 公开（公告）日： | 2017-05-31 |
| 发明（设计）人： | 田艳红;于娜;顾小云;王力明 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/44 | 分类号： | H01L33/44;H01L33/62;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 322000 浙江省金华市义*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 led 芯片 及其 制作方法 | ||
1.一种LED芯片，所述LED芯片包括蓝宝石衬底、以及依次层叠在所述蓝宝石衬底上的N型GaN层、有源层、P型GaN层，所述P型GaN层上开设有延伸到所述N型GaN层的凹槽，其特征在于，所述P型GaN层上对应设置P型焊盘和P型电极线的区域、以及所述P型GaN层的边缘经过所述凹槽的侧壁延伸到所述N型GaN层的区域上均设有绝缘层，所述P型GaN层、以及设置所述P型GaN层上的所述绝缘层上均设有透明导电层，所述透明导电层和所述绝缘层内设有延伸到所述P型GaN层的通孔，所述P型焊盘通过所述通孔设置在所述P型GaN层上，所述P型电极线设置在所述透明导电层上，N型焊盘和N型电极线设置在所述N型GaN层上。
2.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，设在所述P型GaN层的边缘上的所述绝缘层的边界与所述P型GaN层的边界的距离为4～12μm。
3.根据权利要求1或2所述的LED芯片，其特征在于，所述透明导电层的边界与所述P型GaN层的边界的距离为1～4μm。
4.根据权利要求1或2所述的LED芯片，其特征在于，所述绝缘层的材料采用二氧化硅、氮氧化硅或者氮化硅。
5.根据权利要求1或2所述的LED芯片，其特征在于，所述透明导电层的材料采用氧化铟锡或者NiAu。
6.一种LED芯片的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：
在蓝宝石衬底上依次外延生长N型GaN层、有源层、P型GaN层；
利用光刻技术在所述P型GaN层上开设有延伸到所述N型GaN层的凹槽；
利用光刻技术在所述P型GaN层上对应设置P型焊盘和P型电极线的区域、以及所述P型GaN层的边缘经过所述凹槽的侧壁延伸到所述N型GaN层的区域上形成绝缘层；
利用光刻技术在所述P型GaN层、以及设置所述P型GaN层上的所述绝缘层上形成透明导电层，所述透明导电层和所述绝缘层内设有延伸到所述P型GaN层的通孔；
利用光刻技术通过所述通孔在所述P型GaN层上形成所述P型焊盘，在所述透明导电层上形成所述P型电极线，在所述N型GaN层上形成N型焊盘和N型电极线。
7.根据权利要求6所述的制作方法，其特征在于，设在所述P型GaN层的边缘上的所述绝缘层的边界与所述P型GaN层的边界的距离为4～12μm。
8.根据权利要求6或7所述的制作方法，其特征在于，所述透明导电层的边界与所述P型GaN层的边界的距离为1～4μm。
9.根据权利要求6或7所述的制作方法，其特征在于，所述绝缘层的材料采用二氧化硅、氮氧化硅或者氮化硅。
10.根据权利要求6或7所述的制作方法，其特征在于，所述透明导电层的材料采用氧化铟锡或者NiAu。
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