[发明专利]用于电子组件的图案结构及其制造方法在审
| 申请号： | 201611069060.4 | 申请日： | 2016-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN108122731A | 公开（公告）日： | 2018-06-05 |
| 发明（设计）人： | 朱彦瑞;周信宏;蔡明志 | 申请（专利权）人： | 华邦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 马雯雯;臧建明 |
| 地址： | 中国台湾台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 图案层 阻挡结构 图案结构 悬臂结构 基底 电子组件 连接结构 阶梯覆盖性 配置 制造 | ||
1.一种图案结构，用于电子组件，其特征在于，所述图案结构包括：
图案层，配置于基底上；
阻挡结构，配置于所述图案层的一侧的所述基底上，其中所述阻挡结构的厚度小于所述图案层的厚度；
悬臂结构，连接于所述图案层与所述阻挡结构之间；以及
连接结构，连接于所述图案层与其一侧的所述基底之间，且位于所述悬臂结构与所述阻挡结构上。
2.根据权利要求1所述的图案结构，其特征在于，所述图案层的厚度大于200nm。
3.根据权利要求1所述的图案结构，其特征在于，所述阻挡结构的厚度与所述图案层的厚度的比例范围在1：2至3：20之间。
4.根据权利要求1所述的图案结构，其特征在于，所述阻挡结构与所述图案层之间的间距与所述图案层的厚度的比例范围在3：5至7：4之间。
5.根据权利要求1所述的图案结构，其特征在于，所述阻挡结构环绕所述图案层。
6.根据权利要求1所述的图案结构，其特征在于，所述悬臂结构的顶面为斜面，其较高的一侧连接于所述图案层而其较低的一侧连接于所述阻挡结构。
7.根据权利要求1所述的图案结构，其特征在于，所述悬臂结构的材料不同于所述阻挡结构的材料。
8.根据权利要求1所述的图案结构，其特征在于，所述连接结构的材料包括导体材料以及绝缘材料。
9.一种图案结构，用于电子组件，其特征在于，所述图案结构包括：
图案层，配置于基底上；
阻挡结构，配置于所述图案层的一侧的所述基底上，其中所述阻挡结构的厚度小于所述图案层的厚度；
悬臂结构，连接于所述图案层与所述阻挡结构之间；以及
连接结构，配置于所述图案层、所述悬臂结构与所述阻挡结构上，其中所述阻挡结构的材料与所述连接结构的材料均包括导体材料。
10.一种图案结构的制造方法，用于电子组件，其特征在于，所述图案结构的制造方法包括：
于基底上形成图案层；
形成阻挡结构，所述阻挡结构经形成于所述图案层的一侧的所述基底上，其中所述阻挡结构的厚度小于所述图案层的厚度；
形成悬臂结构，所述悬臂结构经形成以连接于所述图案层与所述阻挡结构之间；以及
形成连接结构，所述连接结构经形成以连接于所述图案层与其一侧的所述基底之间，且经形成于所述悬臂结构与所述阻挡结构上。
11.根据权利要求10所述的图案结构的制造方法，其特征在于，形成所述阻挡结构、所述悬臂结构以及所述连接结构的方法包括喷墨打印。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
