[发明专利]静电放电(ESD)箝位接通时间控制在审
申请号: | 201611071199.2 | 申请日: | 2016-11-28 |
公开(公告)号: | CN107017611A | 公开(公告)日: | 2017-08-04 |
发明(设计)人: | 谭君华;潘辉;王文婷;A·戈亚尔;K·厄特勒 | 申请(专利权)人: | 美国博通公司 |
主分类号: | H02H9/04 | 分类号: | H02H9/04 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司11287 | 代理人: | 张世俊 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 静电 放电 esd 箝位 接通 时间 控制 | ||
1.一种装置,其包括:
经配置以进行以下操作的电路:
检测一或多个电压轨处的静电放电ESD事件的发生,
经由箝位触发路径激活ESD箝位电路以为ESD电流提供放电路径,及
经由与所述箝位触发路径并联的保持路径将所述ESD箝位电路的栅极电压维持为大于预定阈值。
2.根据权利要求1所述的装置,其中所述ESD箝位电路是NMOS晶体管,其具有连接到供应电压轨的漏极及连接到接地电压轨的源极。
3.根据权利要求1所述的装置,其中所述箝位触发路径包含高通滤波器,其经配置以滤除具有小于预定阈值的变化率的电压瞬态。
4.根据权利要求1所述的装置,其中所述箝位触发路径包含第一晶体管,其经配置以响应于所述ESD事件的所述发生而将所述ESD箝位电路的所述栅极电压驱动为高。
5.根据权利要求4所述的装置,其中所述第一晶体管是PMOS晶体管,其具有连接到供应电压轨的源极及连接到所述ESD箝位电路的栅极的漏极。
6.根据权利要求1所述的装置,其中所述ESD箝位电路的所述栅极电压经由包含并联连接的电阻器及电容器的栅极放电电流路径而放电。
7.根据权利要求6所述的装置,其中所述保持路径经配置以经由第二晶体管将第一电流供应到所述ESD箝位电路的栅极。
8.根据权利要求7所述的装置,其中所述第二晶体管是PMOS晶体管,其具有连接到供应电压轨的源极及连接到所述ESD箝位电路的所述栅极的漏极。
9.根据权利要求7所述的装置,其中由所述保持路径供应到所述ESD箝位电路的所述栅极的所述第一电流大于或等于通过所述栅极放电电流路径而放电的第二电流。
10.根据权利要求1所述的装置,其中所述ESD事件的所述发生与箝位触发路径取消激活之间的第一时间量小于所述ESD事件的所述发生与保持路径取消激活之间的第二时间量。
11.根据权利要求10所述的装置,其中所述保持路径包含一或多个时间常量组件,其经配置以增加所述ESD事件的所述发生与所述保持路径取消激活之间的所述第二时间量。
12.根据权利要求1所述的装置,其中一或多个保持路径时间常量的第一总和大于一或多个箝位触发路径时间常量的第二总和。
13.根据权利要求12所述的装置,其中所述一或多个箝位触发路径时间常量包含高通滤波器时间常量及栅极放电路径时间常量中的至少一者。
14.根据权利要求12所述的装置,其中所述一或多个保持路径时间常量与一或多个串联连接时间常量组件相关联。
15.根据权利要求1所述的装置,其中与所述箝位触发路径相关联的第一PMOS晶体管的第一宽度/长度比大于与所述保持路径相关联的第二PMOS晶体管的第二宽度/长度比。
16.根据权利要求15所述的装置,其中所述第二PMOS晶体管的所述第二宽度/长度比是所述第一PMOS晶体管的所述第一宽度/长度比的5%到10%。
17.根据权利要求1所述的装置,其中与所述箝位触发路径相关联的第一泄漏电流大于与所述保持路径相关联的第二泄漏电流。
18.根据权利要求1所述的装置,其中所述ESD事件是与ETHERNET PHY相关联的缆线ESD事件。
19.一种方法,其包括:
检测一或多个电压轨处的静电放电ESD事件的发生;
经由箝位触发路径激活ESD箝位电路以为ESD电流提供放电路径;及
经由与所述箝位触发路径并联的保持路径将所述ESD箝位电路的栅极电压维持为大于预定阈值。
20.一种装置,其包括:
经配置以进行以下操作的电路:
针对ESD箝位电路对ESD事件的发生的响应将触发信号与接通时间控制信号解耦,及
独立于供应轨电压被动地控制所述ESD箝位电路的接通时间。
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