[发明专利]一种半导体器件及其制造方法和电子装置

权利要求书

1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：

提供第一支撑衬底，在所述第一支撑衬底上形成第一激光解离层；

在所述第一激光解离层上形成彼此间由开口隔离的若干图案化的第一基底层；

在每个所述图案化的第一基底层上形成第一辅助器件，其中，在所述第一辅助器件的正面形成有若干第一引出线；

提供器件晶圆，在所述器件晶圆上形成有主器件层，在所述主器件层上形成有与所述主器件层电连接的若干金属柱；

将在所述第一辅助器件的正面露出的部分所述第一引出线和部分所述金属柱进行第一键合；

进行第一激光解离，以将所述第一支撑衬底与所述第一基底层分离；

在所述器件晶圆上制作第二辅助器件，所述第二辅助器件直接与所述第一辅助器件相接合，或者所述第二辅助器件与所述器件晶圆上的部分金属柱相接合。

2.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，在所述第一辅助器件的背面也形成有若干所述第一引出线。

3.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，在所述激光解离步骤之后，还包括以下步骤：

提供第二支撑衬底，在所述第二支撑衬底上形成第二激光解离层；

在所述第二激光解离层上形成彼此间由开口隔离的若干图案化的第二基底层；

在每个所述图案化的第二基底层上形成第二辅助器件，其中，在所述第二辅助器件的正面形成有若干第二引出线；

将部分所述第二引出线和从所述第一辅助器件的背面露出的部分所述第一引出线相对或将部分所述第二引出线和所述器件晶圆上露出的部分所述金属柱相对，以进行第二键合；

进行第二激光解离，以将所述第二支撑衬底与所述第二基底层分离。

4.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述第一支撑衬底的材料为玻璃。

5.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述第一激光解离层能够被波长从红外到紫外中的一段波长或几段波长的激光光源分解。

6.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述第一基底层包括有机绝缘层、无机绝缘层或金属层。

7.如权利要求6所述的制造方法，其特征在于，所述有机绝缘层的材料包括聚酰亚胺或聚对苯撑苯并二噁唑。

8.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述第一引出线的材料包括铜，所述金属柱的材料包括铜。

9.如权利要求8所述的制造方法，其特征在于，所述第一键合为铜-铜键合。

10.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，在所述第一激光解离之后，还包括进行清洗的步骤。

11.一种采用权利要求1-10之一所述制造方法制备的半导体器件，其特征在于，包括：

器件晶圆，在所述器件晶圆上形成有主器件层，在所述主器件层上形成有与所述主器件层电连接的若干金属柱；

若干第一辅助器件，所述第一辅助器件形成在第一基底层上且彼此间隔独立，在所述第一辅助器件的正面形成有若干第一引出线，从所述第一辅助器件的正面露出的部分所述第一引出线和部分所述金属柱相接合；

若干第二辅助器件，所述第二辅助器件直接与所述第一辅助器件相接合，或者所述第二辅助器件与所述器件晶圆上的部分金属柱相接合。

12.如权利要求11所述的半导体器件，其特征在于，在所述第一辅助器件的背面也形成有若干所述第一引出线。

13.如权利要求11所述的半导体器件，其特征在于，还包括若干第二辅助器件，其中，所述第二辅助器件形成在第二基底层上且彼此间隔独立，在所述第二辅助器件的正面形成有若干第二引出线，部分所述第二引出线和部分所述金属柱相接合或者部分所述第二引出线和从所述第一辅助器件的背面露出的部分所述第一引出线相接合。