[发明专利]一种半导体器件及其制造方法和电子装置

说明书

本发明提供一种半导体器件及其制造方法和电子装置，涉及半导体技术领域。该方法包括：提供第一支撑衬底，在所述第一支撑衬底上形成第一激光解离层；在所述第一激光解离层上形成彼此间由开口隔离的若干图案化的第一基底层；在每个所述图案化的第一基底层上形成第一辅助器件，其中，在所述第一辅助器件的正面形成有若干第一引出线；提供器件晶圆，在所述器件晶圆上形成有主器件层，在所述主器件层上形成有与所述主器件层电连接的若干金属柱；将在所述第一辅助器件的正面露出的部分所述第一引出线和部分所述金属柱进行第一键合；进行第一激光解离，以将所述第一支撑衬底与所述第一基底层分离。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，具体而言涉及一种半导体器件及其制造方法和电子装置。

背景技术

随着通讯、智能家居的深入发展及广泛应用，通讯类集成电路也在同步激增。

通常，绝大部分的芯片在终端的应用都需要配合一些类似滤波、整流、放大、谐振等辅助电路，以实现其最终的功能，如射频器件等。而主芯片及其辅助电路通常会占用较大的PCB板面积，影响了芯片终端应用的集成度，使得芯片功能的多样性及应用的广泛性受到限制。

因此，有必要提出一种半导体器件的制造方法，解决上述技术问题。

发明内容

在发明内容部分中引入了一系列简化形式的概念，这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本发明的发明内容部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征，更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。

针对现有技术的不足，本发明实施例一中提供一种半导体器件的制造方法，包括：

提供第一支撑衬底，在所述第一支撑衬底上形成第一激光解离层；

在所述第一激光解离层上形成彼此间由开口隔离的若干图案化的第一基底层；

在每个所述图案化的第一基底层上形成第一辅助器件，其中，在所述第一辅助器件的正面形成有若干第一引出线；

提供器件晶圆，在所述器件晶圆上形成有主器件层，在所述主器件层上形成有与所述主器件层电连接的若干金属柱；

将在所述第一辅助器件的正面露出的部分所述第一引出线和部分所述金属柱进行第一键合；

进行第一激光解离，以将所述第一支撑衬底与所述第一基底层分离。

进一步，在所述第一辅助器件的背面也形成有若干所述第一引出线。

进一步，在所述激光解离步骤之后，还包括以下步骤：

提供第二支撑衬底，在所述第二支撑衬底上形成第二激光解离层；

在所述第二激光解离层上形成彼此间由开口隔离的若干图案化的第二基底层；

在每个所述图案化的第二基底层上形成第二辅助器件，其中，在所述第二辅助器件的正面形成有若干第二引出线；

将部分所述第二引出线和从所述第一辅助器件的背面露出的部分所述第一引出线相对或将部分所述第二引出线和所述器件晶圆上露出的部分所述金属柱相对，以进行第二键合；

进行第二激光解离，以将所述第二支撑衬底与所述第二基底层分离。

进一步，所述第一支撑衬底的材料为玻璃。

进一步，所述第一激光解离层能够被波长从红外到紫外中的一段波长或几段波长的激光光源分解。

进一步，所述第一基底层包括有机绝缘层、无机绝缘层或金属层。

进一步，所述有机绝缘层的材料包括聚酰亚胺或聚对苯撑苯并二噁唑。