[发明专利]一种Ge的N型欧姆接触制作方法在审
| 申请号： | 201611072571.1 | 申请日： | 2016-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN106783566A | 公开（公告）日： | 2017-05-31 |
| 发明（设计）人： | 刘丽蓉;王勇;丁超 | 申请（专利权）人： | 东莞市广信知识产权服务有限公司;东莞华南设计创新院 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/285 |
| 代理公司： | 广东莞信律师事务所44332 | 代理人： | 曾秋梅 |
| 地址： | 523000 广东省东莞市松山湖高新*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 ge 欧姆 接触 制作方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种锗基N型欧姆接触源漏电极的制作方法，其主要步骤如下：
(1)在重掺杂的N型锗半导体上定义出欧姆接触区与非欧姆接触区；
(2)沉积镍锡金属层，并进行剥离工艺形成源漏合金区域；
(3)在300-500度温度范围内进行合金，形成半金属化合物；
(4)采用光刻法定义源漏电极区域；
(5)采用电子束蒸发工艺蒸发金属镍/铝(20/200纳米)，并采用剥离工艺形成电极。
2.根据权利要求1所述的一种锗基N型欧姆接触源漏电极的制作方法，其特征在于在步骤(2)中沉积镍锡合金金属的方法为溅射，溅射功率为50-100瓦。
3.根据权利要求1所述的一种锗基N型欧姆接触源漏电极的制作方法，其特征在于在步骤(2)中沉积镍锡合金金属的厚度为5-15纳米。
4.根据权利要求1所述的一种锗基N型欧姆接触源漏电极的制作方法，其特征在于在步骤(2)中沉积镍锡合金金属中锡的比例为10％-20％。
5.根据权利要求1所述的一种锗基N型欧姆接触源漏电极的制作方法，其特征在于在步骤(3)中合金温度为400度，合金时间为3-10分钟。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
