[发明专利]一种类金刚石薄膜的制备方法在审
申请号: | 201611073241.4 | 申请日: | 2016-11-29 |
公开(公告)号: | CN108118308A | 公开(公告)日: | 2018-06-05 |
发明(设计)人: | 王国斌 | 申请(专利权)人: | 王国斌 |
主分类号: | C23C16/27 | 分类号: | C23C16/27 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 114000 辽宁*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 制备 梯度薄膜 等离子体增强化学气相沉积 类金刚石材料 致密 表面轮廓仪 金刚石薄膜 薄膜表面 复合技术 类金刚石 纳米颗粒 注入设备 粗糙度 放电腔 过渡层 镀膜 改性 薄膜 微波 | ||
1.一种类金刚石薄膜的制备方法,其特征在于使用了一种新型系统,双放电腔微波-ECR等离子体全方位注入装置,同时应用了电子回旋共振和全方位离子注入技术,在低工作气压下实现了较高的等离子体密度,微波ECR全方位离子注入系统抽真空部分由机械泵和分子泵组成,最低气压可以抽到10-4Pa,本发明真空抽到4.0×10-3Pa,等离子产生是根据电子回旋共振原理设计的,主真空室为圆柱形腔体,两个ECR谐振腔相对的分别安置在主真空室两侧,微波系统是有频率为2.45 GHz的微波发生器、环形器、双向耦合器、三销钉调配器以及波导管所组成,如果线圈通有电流时能产生875 G的磁场,并且此时微波频率与电子在磁场中的回旋频率相等,便可以产生电子回旋共振进而产生等离子体,进而运用等离子体增强化学气相沉积法制备类合金薄膜。
2.根据权利要求1所述,一种类金刚石薄膜的制备方法,其特征在于仪器载物台能够转动,并可以通冷却水,高压电源为脉冲高压电源,负脉冲高压通过带陶瓷环的绝缘线连接到不锈钢样品台,调节样品台偏压的大小和频率来控制等离子体的能量和离子流密度,该设备工作特点为:低温成膜,对基体影响很小;能用多种方法成膜,能在大面积,复杂形状工件上成膜。
3.根据权利要求1所述,一种类金刚石薄膜的制备方法,其特征在于选择医用NiTi合金,NiTi合金为等轴晶,其中含有夹杂物,将NiTi合金片(Ф12mm×lmm)经400、800和1200号砂纸进行机械打磨后抛光,使其抛光后表面粗糙度达到0.1μm左右。
4.根据权利要求1所述,一种类金刚石薄膜的制备方法,其特征在于采用微波-ECR等离子体源系统制备梯度类金刚石薄膜,将试样置入真空室,用加离子对试样表面溅射清洗10分钟,离子的轰击和溅射作用将使表层吸附静杂质、酒污分子、氧化物脱离基体表面,从而大幅度改善界面状态,有助于提高膜基结合强度,将其放入真空室,真空室的需要达到的真空度为1.2×10-4Pa。
5.根据权利要求1所述,一种类金刚石薄膜的制备方法,其特征在于用Ar离子对试样表面进行溅射清晰20min,然后在试样表面沉积一层Si,保持Si靶射频溅射功率200W,左右谐振线圈电流60.81A和69.3A;沉积一定时间后将Si靶射频功率降为100W,同时通入氨气和甲烷的混台气体,制备30min的Si/a-C:H层,最后制备DLC薄膜,保待氩气与甲烷的流量比为l:4,真空度为2.8×10-1Pa。
6.根据权利要求1所述,一种类金刚石薄膜的制备方法,其特征在于改变Si层沉积时间,分别为20,30,60和90min,制得Si/(Si.a-c:H)/DLC结构的薄膜。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的