[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种用于制造半导体器件的方法，包括：

在半导体衬底上方形成在第一方向上延伸的多条下部导线；

在所述多条下部导线上面形成绝缘层；

通过在所述绝缘层中形成第一开口并且用导电材料填充所述第一开口来形成多个第一通孔；

通过在所述绝缘层中形成第二开口并且用导电材料填充所述第二开口来形成多个第二通孔；

形成在与所述第一方向相交的第二方向上延伸的并且连接至所述多个第一通孔的多条第一上部导线；以及

形成在所述第二方向上延伸的并且连接至所述多个第二通孔的多条第二上部导线，其中：

通过单独的图案化操作实施形成所述多个第一通孔和形成所述多个第二通孔，

在形成所述第一开口以及形成所述第二开口的至少一个中，所述多条下部导线的两条线的至少部分暴露于至少一个开口中，从而使得至少一个通孔连接所述多条下部导线的至少两条线以及所述多条第一上部导线或所述多条第二上部导线的一条线，

所述多条第一上部导线和所述多条第二上部导线在所述第一方向上交替地布置为具有第一间距，以及

所述多个第一通孔在所述第一方向上设置为具有第二间距，所述第二间距是所述第一间距的两倍，

其中，填充所述第一开口的导电材料的位于所述多条下部导线的邻近的两条线之间的最下部分比所述邻近的两条线的最上部分更接近所述半导体衬底。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述多个第二通孔在所述第一方向上设置为具有所述第二间距。

3.根据权利要求2所述的方法，其中：

所述多条第一上部导线在所述第一方向上布置为具有所述第二间距，以及

所述多条第二上部导线在所述第一方向上布置为具有所述第二间距。

4.根据权利要求1所述的方法，其中：

通过第一双镶嵌工艺形成所述多个第一通孔和所述多条第一上部导线，以及

通过第二双镶嵌工艺形成所述多个第二通孔和所述多条第二上部导线。

5.根据权利要求1所述的方法，其中：

所述多个第一通孔和所述多个第二通孔具有相同的设计图案，以及

所述多个第一通孔在所述第一方向上的平均宽度与所述多个第二通孔在所述第一方向上的平均宽度不同。

6.根据权利要求1所述的方法，其中：

在形成所述第一开口中，所述多条下部导线的两条线的至少部分暴露于所述第一开口的至少一个中，从而使得所述多个第一通孔的至少一个连接所述多条下部导线的至少两条线，以及

在形成所述第二开口中，所述多条下部导线的两条线的至少部分暴露于所述第二开口的至少一个中，从而使得所述多个第二通孔的至少一个连接所述多条下部导线的至少两条线。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述多个第一通孔或所述多个第二通孔的至少一个通孔仅连接所述下部导线的一条线并且仅连接所述多条第一上部导线或所述多条第二上部导线的一条线。

8.根据权利要求6所述的方法，其中：

形成所述绝缘层包括形成第一绝缘层、位于所述第一绝缘层上方的第二绝缘层以及位于所述第二绝缘层上方的第三绝缘层，

形成所述第一开口包括：

图案化所述第三绝缘层直至暴露所述第二绝缘层；以及

蚀刻暴露的第二绝缘层，从而使得暴露所述下部导线的两条线的至少部分，以及

在蚀刻所述暴露的第二绝缘层中，蚀刻所述第一绝缘层的上部的部分。

9.根据权利要求1所述的方法，其中：

在形成所述多个第一通孔之后，形成所述多条第一上部导线，

在形成所述第一上部导线之后，形成所述多个第二通孔，以及

在形成所述多个第二通孔之后，形成所述多个第二上部导线。