[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供衬底，所述衬底包括隔离区和器件区，所述隔离区与器件区接触，所述器件区衬底上具有鳍部；

在所述器件区和隔离区衬底上形成初始隔离结构，所述初始隔离结构覆盖所述鳍部侧壁；

对所述隔离区初始隔离结构进行第一刻蚀，使所述隔离区初始隔离结构表面低于所述器件区初始隔离结构表面，在所述隔离区初始隔离结构中形成隔离凹槽和位于所述隔离凹槽底部的隔离层；

在所述隔离凹槽底部和侧壁表面形成阻挡层；

在形成所述阻挡层之后，在所述隔离凹槽中形成保护层，所述保护层完全覆盖所述隔离凹槽底部；

形成所述保护层之后，对所述器件区初始隔离结构进行第二刻蚀，减小所述器件区初始隔离结构厚度，在所述器件区形成隔离结构，在所述第二刻蚀过程中，所述保护层的刻蚀速率小于所述初始隔离结构的刻蚀速率，且所述阻挡层的刻蚀速率小于所述初始隔离结构的刻蚀速率，所述阻挡层能够进一步减小第二刻蚀对所述保护层的刻蚀损伤，从而能够进一步增加所述保护层的隔离性能。

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，对所述隔离区初始隔离结构进行第一刻蚀的工艺包括：干法刻蚀工艺。

3.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述隔离区隔离层的厚度为630埃～770埃；所述保护层的厚度为450埃～550埃。

4.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在对所述隔离区初始隔离结构进行第一刻蚀之前，还包括：在所述器件区初始隔离结构上形成牺牲层，所述牺牲层暴露出隔离区初始隔离结构；以所述牺牲层为掩膜对所述初始隔离结构进行第一刻蚀。

5.如权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述保护层的步骤包括：在所述牺牲层上和所述隔离层上形成初始保护层；去除所述牺牲层上的初始保护层，形成保护层。

6.如权利要求5所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述阻挡层的步骤包括：形成初始保护层之前，在所述牺牲层和所述隔离凹槽底部和侧壁表面形成初始阻挡层；去除所述牺牲层上的初始保护层之后，去除所述牺牲层上的初始阻挡层。

7.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述阻挡层的材料为非晶硅、非晶锗、非晶硅锗或氮化硅。

8.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述阻挡层的工艺包括化学气相沉积工艺。

9.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述阻挡层的厚度为2nm～10nm。

10.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成隔离结构之后，还包括：对所述阻挡层进行氧化处理，形成氧化层。

11.如权利要求10所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述氧化处理的工艺包括热氧化工艺。

12.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述保护层顶部表面高于所述鳍部顶部表面；所述保护层顶部的宽度大于所述隔离凹槽顶部的宽度。

13.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述隔离区两侧分别具有器件区。

14.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述隔离区隔离层的表面低于或齐平于所述器件区隔离结构顶部表面。