[发明专利]一种多晶硅栅极的生长方法有效
| 申请号： | 201611077583.3 | 申请日： | 2016-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN106783567B | 公开（公告）日： | 2019-11-22 |
| 发明（设计）人： | 信恩龙;李润领;关天鹏 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/285 |
| 代理公司： | 31275 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) | 代理人： | 吴世华;陈慧弘<国际申请>=<国际公布> |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 多晶 栅极 生长 方法 | ||
1.一种多晶硅栅极的生长方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤S01：提供一半导体衬底；
步骤S02：在所述衬底上形成浅沟槽隔离区，其它区域为有源区，用二氧化硅填充所述浅沟槽隔离区直至高于所述有源区上表面，形成一具有一定高度的台阶，在所述有源区上表面生长一层栅极氧化层；
步骤S03：采用选择性沉积工艺方法生长第一栅极，且第一栅极的厚度大于等于所述台阶的高度；其中，在有源区薄的氧化物和浅沟槽隔离区厚的氧化物上有选择性的沉积第一栅极，使在初始阶段有源区上的生长速率快于浅沟槽隔离区的生长速率，依靠不同的生长速率抹平原有的台阶高度差，形成第一栅极的厚度与台阶的高度相匹配；
步骤S04：采用传统沉积工艺方法生长第二栅极。
2.根据权利要求1所述的多晶硅栅极的生长方法，其特征在于，步骤S03中，所述选择性沉积工艺使用的气体原料包括SiH2Cl2和HCl，温度为600～700℃。
3.根据权利要求1所述的多晶硅栅极的生长方法，其特征在于，步骤S02中，所述浅沟槽隔离区的深度为2000～3000埃。
4.根据权利要求1所述的多晶硅栅极的生长方法，其特征在于，步骤S02中，所述栅极氧化层的厚度为15～25埃。
5.根据权利要求1所述的多晶硅栅极的生长方法，其特征在于，步骤S02中，所述台阶的高度为50～150埃。
6.根据权利要求1所述的多晶硅栅极的生长方法，其特征在于，步骤S03中，所述第一栅极的厚度为100～200埃。
7.根据权利要求1所述的多晶硅栅极的生长方法，其特征在于，步骤S04中，所述第二栅极的厚度为400～600埃。
8.根据权利要求1所述的多晶硅栅极的生长方法，其特征在于，步骤S02中，采用化学气相沉积法填充所述二氧化硅。
9.根据权利要求1所述的多晶硅栅极的生长方法，其特征在于，步骤S04中，所述传统沉积工艺为高温化学气相沉积法，所使用的气体包括SiH4，温度为500～700℃。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
