[发明专利]一种GaAs基PMOS器件制作方法在审
| 申请号： | 201611079685.9 | 申请日： | 2016-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN106783619A | 公开（公告）日： | 2017-05-31 |
| 发明（设计）人： | 刘丽蓉;王勇;丁超 | 申请（专利权）人： | 东莞市广信知识产权服务有限公司;东莞华南设计创新院 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L29/20;H01L29/06 |
| 代理公司： | 广东莞信律师事务所44332 | 代理人： | 曾秋梅 |
| 地址： | 523000 广东省东莞市松山湖高新*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 gaas pmos 器件 制作方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种砷化镓PMOS器件的制作方法。其制作步骤依次是：
(1)在半绝缘砷化镓衬底(101)上生长100纳米厚度的N型掺杂的砷化镓沟道层(102)；
(2)在砷化镓沟道层(102)上生长1纳米厚度磷化镓界面层(103)；
(3)在磷化镓界面层(103)表面生长3纳米厚度三氧化二铝介质(104)；
(4)在三氧化二铝介质(104)上沉积栅金属电极(105)；
(5)采用光刻胶掩膜方法在源漏区(106)进行离子注入，注入离子为铍(Be)离子,并进行源漏区离子注入激活；
(6)在源漏区(106)制作源漏金属电极铂/钛/金(107)。
2.根据权利要求1所述的制作砷化镓PMOS器件的方法，所述N型掺杂的砷化镓沟道层的掺杂浓度为5×1017cm-3，掺杂杂质为硅。
3.根据权利要求1所述的制作砷化镓PMOS器件的方法，所述栅金属电极为钛/钨，厚度为20/200纳米。
4.根据权利要求1所述的制作砷化镓PMOS器件的方法，所述离子注入的能量为30KeV，注入剂量为1×1015cm-2。
5.根据权利要求1所述的制作砷化镓PMOS器件的方法，所述源漏电极铂/钛/金(107)厚度为5/10/30/200纳米。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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