[发明专利]一种SRAM存储器件及制备方法、电子装置

权利要求书

1.一种SRAM存储器件的制备方法，所述SRAM存储器件至少包括传输门晶体管，其特征在于，所述传输门晶体管的制备方法包括：

提供基底，所述基底包括用于形成反相器的下拉晶体管区域和上拉晶体管区域；

在所述基底上依次形成界面层和高K介电层；

在预定形成所述传输门晶体管的区域中对所述高K介电层进行氮化处理，以增加所述传输门晶体管的正偏压温度不稳定性水平，其中，对所述高K介电层进行氮化处理的方法包括：

形成图案化的掩膜层，以覆盖所述下拉晶体管区域和所述上拉晶体管区域，并露出形成所述传输门晶体管的区域；

对所述传输门晶体管区域中的所述高K介电层进行氮化处理。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在预定形成所述传输门晶体管的区域中对所述高K介电层进行氮化处理后所述方法还进一步包括在所述高K介电层上形成覆盖层，以覆盖所述高K介电层。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在对所述高K介电层进行氮化处理之后所述方法还进一步包括退火的步骤。

4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，在形成所述覆盖层之前所述方法还进一步包括去除所述掩膜层的步骤。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述传输门晶体管的栅极为金属栅极。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述氮化处理包括对所述高K介电层进行氮离子注入的工艺。

7.一种SRAM存储器件，其特征在于，所述SRAM存储器件至少包括传输门晶体管，所述传输门晶体管的栅极包括：

基底；

界面层，位于基底上；

高K介电层，位于所述界面层上，所述高K介电层为经氮化处理的高K介电层；

覆盖层，位于所述高K介电层上方；

所述SRAM存储器件还包括两个交叉耦合的反相器，两个所述反相器分别与两个所述传输门晶体管电连接；其中，每个所述反相器中均包括下拉晶体管和上拉晶体管，其中，所述下拉晶体管和上拉晶体管中的高K介电层为未经氮化处理的高K介电层。

8.根据权利要求7所述的SRAM存储器件，其特征在于，所述传输门晶体管的栅极为金属栅极。

9.一种电子装置，其特征在于，所述电子装置包括权利要求7至8之一所述的SRAM存储器件。