[发明专利]一种SRAM存储器件及制备方法、电子装置

说明书

本发明涉及一种SRAM存储器件及制备方法、电子装置。所述SRAM存储器件至少包括传输门晶体管，所述传输门晶体管的制备方法包括：提供基底并在所述基底上依次形成界面层和高K介电层；在预定形成所述传输门晶体管的区域中对所述高K介电层进行氮化处理，以增加所述传输门晶体管的正偏压温度不稳定性水平；在所述高K介电层上形成覆盖层，以覆盖所述高K介电层。本发明通过所述方法有助于平衡在高温操作寿命(High Temperature Operating Life，HTOL)过程中NMOS下拉晶体管的负偏压温度不稳定性(Negative Bias Temperature Instability，NBTI)和PMOS上拉晶体管的正偏压温度不稳定性，以使SRAM存储器件具有更好的高温操作寿命(High Temperature Operating Life，HTOL)性能。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，具体而言涉及一种SRAM存储器件及制备方法、电子装置。

背景技术

随着数字集成电路的不断发展，片上集成的存储器已经成为数字系统中重要的组成部分。SRAM(Static Random Access Memory，静态随机存取存储器)以其低功耗、高速的优点成为片上存储器中不可或缺的重要组成部分。SRAM只要为其供电即可保存数据，无需不断对其进行刷新。

SRAM的可靠性对于保证电学应用的稳定和安全的操作来说是至关重要的，高温操作寿命(High Temperature Operating Life，HTOL)是被普遍接受的一种测试方法，用来表征在应力过程中SRAM阈值电压的偏移。

目前有报道指出在HTOL应力测试过程中SRAM中阈值电压强烈的依赖于传输门晶体管、上拉晶体管和下拉晶体管上偏压温度不稳定性(Positive Bias TemperatureInstability，BTI)的下降。其中，下拉NMOS晶体管遭受正偏压温度不稳定性(PositiveBias Temperature Instability，PBTI)的占空度为50％，其中，下拉晶体管NMOS遭受正偏压温度不稳定性(Positive Bias Temperature Instability，PBTI)的占空度为25％。

因此，现有技术中存在各种弊端，上述弊端成为亟需解决的问题，以进一步提高器件的性能和良率。

发明内容

在发明内容部分中引入了一系列简化形式的概念，这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本发明的发明内容部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征，更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。

为了克服目前存在的问题，本发明提供了一种SRAM存储器件的制备方法，所述SRAM存储器件至少包括传输门晶体管，所述传输门晶体管的制备方法包括：

提供基底并在所述基底上依次形成界面层和高K介电层；

在预定形成所述传输门晶体管的区域中对所述高K介电层进行氮化处理，以增加所述传输门晶体管的正偏压温度不稳定性水平；

在所述高K介电层上形成覆盖层，以覆盖所述高K介电层。

可选地，在对所述高K介电层进行氮化处理之后所述方法还进一步包括退火的步骤。

可选地，所述基底还包括用于形成反相器的下拉晶体管区域和上拉晶体管区域，其中，对所述高K介电层进行氮化处理的方法包括：

形成图案化的掩膜层，以覆盖所述下拉晶体管区域和所述上拉晶体管区域，并露出形成所述传输门晶体管的区域；

对所述传输门晶体管区域中的所述高K介电层进行氮化处理。

可选地，所述传输门晶体管的栅极为金属栅极。

可选地，在形成所述覆盖层之前所述方法还进一步包括去除所述掩膜层的步骤。